圖10.17是使用晶ADC0832CCN體管的H電橋電路。使用晶體管構(gòu)成的電路中也是Tri與Tr3采用PNP發(fā)射極接地型開關(guān)電路，Tr2與Tr。采用NPN發(fā)射極接地型開關(guān)電路。但是，晶體管必須流過(guò)大小為集電極電流l/hFE倍的基極電流，所以在選擇內(nèi)藏電阻晶體管的型號(hào)時(shí)必須注意計(jì)算驅(qū)動(dòng)電路的基極電阻。
    圖10.17的電路中，為了流過(guò)1A的集電極電流，設(shè)定基極電流為20mA（按HEF=50計(jì)算）。D1～D4是吸收電動(dòng)機(jī)反電動(dòng)勢(shì)的續(xù)流二極管。圖10.7中使用的晶體管內(nèi)藏了二極管。一般的晶體管中并沒有內(nèi)藏這樣的二極管，所以需要在集電極一發(fā)射極之間外接二極管。應(yīng)該選擇反向耐壓大于電源電壓，正向電流大于H電橋最大輸出電流的續(xù)流二極管。圖10. 17的電路中選用的是反向電壓為200V，正向電流為1A的S5277B(東芝)。