圖10.16是采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的源極ADC0844CN接地開(kāi)關(guān)電路構(gòu)成的H電橋。如果Tri和Tr3采用P溝MOSFET，驅(qū)動(dòng)電壓沒(méi)右必要像圖10.7那樣高于電源電壓，電路就變得非常簡(jiǎn)單。但是N溝FET與P溝FET為器件導(dǎo)通所要求的驅(qū)動(dòng)電壓的極性是相反的(N溝器件柵極電位為H時(shí)導(dǎo)通，P溝器件為L(zhǎng)時(shí)導(dǎo)通)，所以圖10. 16的電路與圖10.7的電路中驅(qū)動(dòng)電路的構(gòu)成不同。
    表10.3示出圖10.16電路在各模式中MOSFET的柵極電位。為了確定Tri和Tr3的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，必須進(jìn)行NAND運(yùn)算（圖10.7的電路中是進(jìn)行NOR運(yùn)算）。
    圖10.16的電路中，是將2個(gè)內(nèi)藏電阻晶體管縱向排列連接起來(lái)（一方的發(fā)射極與另一方的集電極連接）進(jìn)行NAND運(yùn)算的。這樣的話，只有兩個(gè)晶體管都導(dǎo)通（兩個(gè)的輸入都是H電平）時(shí)輸出才為I。電平，所以就是NAND運(yùn)算。
    P溝MOSFET的選擇方法與圖10.7電路N溝MOSFET的情況完全相同。圖10.16的電路中選用VDSS=-100V，ID的絕對(duì)最大額定值為2A的2SJ128(NEC)。