MOSFET與晶體管相比，開(kāi)關(guān)87C51速度快，驅(qū)動(dòng)功率�。艠O不流過(guò)電流），所以羥常用作開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)器件。但是一般來(lái)說(shuō)現(xiàn)在的MOSFET的VGS比VBE大，所以需要的驅(qū)動(dòng)電壓比晶體管高。
    本章設(shè)計(jì)的電路由于輸入電壓是3V，所以能夠驅(qū)動(dòng)MOSFET。從圖11.14可以看出當(dāng)輸入電壓降低到2V時(shí)就不能夠驅(qū)動(dòng)MOSFET了。
    因此，在用低輸入電壓使升壓型開(kāi)關(guān)電源工作的場(chǎng)合，需要采用晶體管開(kāi)關(guān)器件。使用晶體管時(shí)，如果振蕩電路的輸出比VBE大，就能夠開(kāi)關(guān)，所以理論上只要輸入電壓大于0. 6V(一VBE)就能夠工作。

    圖11.17是把圖11.6電路中的MOSFET換為晶體管的電路。把Tri換為晶體管，并插入限制基極電流的電阻RB。這樣的電路即使只有1節(jié)錳電池的輸入電壓(≈1.5V)也能夠充分工作（使74HC14在1.5V下工作是違規(guī)的）。但是由于必須流過(guò)較大的基極電流，所以電路的效率降低了。
    選擇晶體管的方法與使用MOSFET的情況相同。在這個(gè)電路中，選擇Ic≥420mA，VCE≥20V的器件。圖11. 17中使用最大額定值CEO一50V，Ic一2A的2SC3668(東芝)。
    設(shè)定基極電阻RB的值要使基極電流能夠充分驅(qū)動(dòng)集電極電流。圖11.17的電路中，設(shè)定基極電流為2.7mA，所以RB=330tQ(≈(1.5V-O.6V)／2.7mA)。