前面介紹了電子ADP3307ART-3.2產(chǎn)品中經(jīng)常應(yīng)用的SMC元器件（包括R、C、L），這些元器件的制造工藝基礎(chǔ)均是以厚膜制造的片式電阻和以多層厚膜共燒結(jié)工藝制造的獨(dú)石一體化片式多層瓷介電容器( MLC)。MLC獨(dú)石化核心技術(shù)的飛速發(fā)展使MLC性能日趨優(yōu)異，同時也促進(jìn)了其他元器件采用該技術(shù)，現(xiàn)已涌現(xiàn)出多種性能優(yōu)異的新型片式元器件，現(xiàn)簡介如下。
  2.5.1  片式多層壓敏電阻器
  壓敏電阻是因電壓變化而導(dǎo)致電阻變化的電阻，它的特性可以用下式表示：
    ，=（叫Cf）8式中，U為外加電阻；C和日為常數(shù)，口為非線性指數(shù)，當(dāng)a=l時，相當(dāng)于普通電阻，當(dāng)日≠1時，電壓和電流之間存在非線性。
    傳統(tǒng)Zn0壓敏電阻因其擊穿電壓UB或壓敏電壓較高（大于或等于80V），存在響應(yīng)速度慢、通流量小、靜電容小、噪聲吸收性能不足等弱點(diǎn)，不能對高速IC實(shí)施有效保護(hù)。采用MLC工藝后，已使保護(hù)電壓下降到4～8V，完全能滿足電路低壓化的要求。
    西門子和松下公司生產(chǎn)的CN系列1210、1812、2220蘭個尺寸規(guī)格的片式多層壓敏電阻器和CU系列3225、4032等兩個尺寸規(guī)格的片式單層壓敏電阻器的性能比較如表2.42所示，表中SR型和S型分別為有引腳的品種，除響應(yīng)速度外其他主要性能完全相同。SR和S型的響應(yīng)速度小于25ns，而CN和CV型均不超過Ins。CN型與CU型的主要性能和最大功
耗曲線比較見表2.43和圖2.53。CN系列最大靜電容量為3000～24000pF，對提高噪聲吸收性能大有益處。