片式熱敏電阻
發(fā)布時(shí)間:2012/10/1 22:26:42 訪問次數(shù):728
熱敏ADP3338AKC-2.5-RL7電阻器分為負(fù)溫度系數(shù)和正溫度系數(shù)兩大類,即NTCR和PTCR。前者主要用于軍事、醫(yī)療、自動(dòng)化設(shè)施的溫度補(bǔ)償和溫度檢測,后者主要用于通信、汽車、儀表、計(jì)算機(jī)和家用電器的恒溫發(fā)熱、限流保護(hù)、電動(dòng)機(jī)起動(dòng)和TV消磁。
1.片式多層NTCR
NTCR基本材料采用尖晶石型過渡金屬(Mn、Co、Ni、Fe和Cu等)氧化物半導(dǎo)體陶瓷,其電阻率p和常數(shù)B兩個(gè)重要參數(shù)呈正相關(guān)關(guān)系。前著決定元器件阻值高低,后者反映元器件對溫度的依賴關(guān)系。片式NTCR主要采用端電極引出的單片型和基片厚膜型(類似于矩形片式電阻器),其常溫阻值范圍向低端擴(kuò)展,伴隨B值降低的缺點(diǎn)。
近年來,超小型高性能石英振蕩溫度補(bǔ)償電路等領(lǐng)域的進(jìn)展促進(jìn)高B值、低阻NTCR的研制開發(fā)。采用高B值高阻料以多層并聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低阻化成為最有效途徑。西門子和松下公司新開發(fā)C1621 (1206)型片式多層NTCR,阻值為100~10Q,B值保持在3500以上。相對片式單層NTCR有多項(xiàng)環(huán)境試驗(yàn)性能更優(yōu),見表2.44。
2.片式多層PTCR
PTCR主要采用高純度BaTi03系半導(dǎo)體陶瓷作為敏感材料。材料的固有特性決定了傳統(tǒng)單層PTCR難于降低阻值。片式多層PTCR不僅能通過多層并聯(lián)實(shí)現(xiàn)低阻化,而且明顯改進(jìn)了熱敏電阻的電阻.溫度遲滯特性,此外還能實(shí)現(xiàn)不同居里點(diǎn)PTCR材料串聯(lián)或并聯(lián)復(fù)合片式PTCR元器件。
熱敏ADP3338AKC-2.5-RL7電阻器分為負(fù)溫度系數(shù)和正溫度系數(shù)兩大類,即NTCR和PTCR。前者主要用于軍事、醫(yī)療、自動(dòng)化設(shè)施的溫度補(bǔ)償和溫度檢測,后者主要用于通信、汽車、儀表、計(jì)算機(jī)和家用電器的恒溫發(fā)熱、限流保護(hù)、電動(dòng)機(jī)起動(dòng)和TV消磁。
1.片式多層NTCR
NTCR基本材料采用尖晶石型過渡金屬(Mn、Co、Ni、Fe和Cu等)氧化物半導(dǎo)體陶瓷,其電阻率p和常數(shù)B兩個(gè)重要參數(shù)呈正相關(guān)關(guān)系。前著決定元器件阻值高低,后者反映元器件對溫度的依賴關(guān)系。片式NTCR主要采用端電極引出的單片型和基片厚膜型(類似于矩形片式電阻器),其常溫阻值范圍向低端擴(kuò)展,伴隨B值降低的缺點(diǎn)。
近年來,超小型高性能石英振蕩溫度補(bǔ)償電路等領(lǐng)域的進(jìn)展促進(jìn)高B值、低阻NTCR的研制開發(fā)。采用高B值高阻料以多層并聯(lián)結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低阻化成為最有效途徑。西門子和松下公司新開發(fā)C1621 (1206)型片式多層NTCR,阻值為100~10Q,B值保持在3500以上。相對片式單層NTCR有多項(xiàng)環(huán)境試驗(yàn)性能更優(yōu),見表2.44。
2.片式多層PTCR
PTCR主要采用高純度BaTi03系半導(dǎo)體陶瓷作為敏感材料。材料的固有特性決定了傳統(tǒng)單層PTCR難于降低阻值。片式多層PTCR不僅能通過多層并聯(lián)實(shí)現(xiàn)低阻化,而且明顯改進(jìn)了熱敏電阻的電阻.溫度遲滯特性,此外還能實(shí)現(xiàn)不同居里點(diǎn)PTCR材料串聯(lián)或并聯(lián)復(fù)合片式PTCR元器件。
熱門點(diǎn)擊
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推薦技術(shù)資料
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