(1)當(dāng)測試PNP型晶體管時，測量項目及量程M25P40-VMN6TP選擇開關(guān)設(shè)定在”PNP”的位置；測試NPN型晶體管時，則設(shè)置在“NPN”位置，如圖3.29所示。
    (2)把電源開關(guān)撥到“ON”。
    (3)分別將被測晶體管的E、B、C極插入hFE插口對應(yīng)的插孑L內(nèi)。
    (4)讀取顯示的hFE值，如圖3.30所示。一個良好的晶體管的hFE顯示值在幾十至幾百之間，如圖3. 28所示。如果顯示“000”，則說明三極管已損壞。

          
    注意事項：
    (1)使用數(shù)字式萬用表的hFE擋測量小功率晶體管電流放大系數(shù)時，因hFH插座提供的測試電壓較低，基極電流又很小，被測管工作在低電壓、小電流條件下，與典型的工作條件有差距，因此測量結(jié)果僅供參考。
    (2)數(shù)字式萬用表電阻擋所提供的測試電流很小，測量二極管、晶體管正向電阻時，要比用模擬式萬用表電阻擋的測量值高出幾倍，甚至幾十倍。因此應(yīng)該用二極管擋去測量PN結(jié)的正向壓降，以獲得二極管質(zhì)量的準(zhǔn)確判斷。