功率晶體三極管和散熱器
發(fā)布時(shí)間:2013/2/7 17:51:07 訪問次數(shù):744
在放大信號的功率放大電EPM7128AETC100-5N路中,使用如圖4. 43所示,輸出在數(shù)W以上的各種各樣稱為功率晶體三極管的功率放大用晶體三極管。
圖4. 43功率晶體三極管
因?yàn)榧姌O流過很大的電流,功率晶體三極管使集電極功耗增加,所以存在由晶體三極管內(nèi)部的發(fā)熱而導(dǎo)致的晶體三極管毀壞的現(xiàn)象。因此,對應(yīng)晶體三極管的外部形狀,安裝上如圖4. 44所示的散熱板,使晶體三極管產(chǎn)生的熱散發(fā)出去。圖4. 45所示的是集電極功耗隨散熱板的大小及環(huán)境溫度而變化的例子。根據(jù)圖4. 45,當(dāng)環(huán)境溫度為25℃、散熱板的面積為無限大時(shí),集電極功耗允許達(dá)到15W,面積為200cmz時(shí),允許達(dá)到10W,無散熱板時(shí),下降到3W。因此,因?yàn)楣β示w三極管的最大集電極功耗是在環(huán)境溫度25℃,采用最大的散熱板,熱的發(fā)散可理想地進(jìn)行的前提條件下給出的,所以實(shí)際使用時(shí)有必要十分注意。
在放大信號的功率放大電EPM7128AETC100-5N路中,使用如圖4. 43所示,輸出在數(shù)W以上的各種各樣稱為功率晶體三極管的功率放大用晶體三極管。
圖4. 43功率晶體三極管
因?yàn)榧姌O流過很大的電流,功率晶體三極管使集電極功耗增加,所以存在由晶體三極管內(nèi)部的發(fā)熱而導(dǎo)致的晶體三極管毀壞的現(xiàn)象。因此,對應(yīng)晶體三極管的外部形狀,安裝上如圖4. 44所示的散熱板,使晶體三極管產(chǎn)生的熱散發(fā)出去。圖4. 45所示的是集電極功耗隨散熱板的大小及環(huán)境溫度而變化的例子。根據(jù)圖4. 45,當(dāng)環(huán)境溫度為25℃、散熱板的面積為無限大時(shí),集電極功耗允許達(dá)到15W,面積為200cmz時(shí),允許達(dá)到10W,無散熱板時(shí),下降到3W。因此,因?yàn)楣β示w三極管的最大集電極功耗是在環(huán)境溫度25℃,采用最大的散熱板,熱的發(fā)散可理想地進(jìn)行的前提條件下給出的,所以實(shí)際使用時(shí)有必要十分注意。
熱門點(diǎn)擊
- 采用萬用表分辨NPN型三極管集電極和發(fā)射極方
- 行推動變壓器
- 消磁線圈及實(shí)用電路解說
- 高頻阻抗元件的測量
- 壓敏電阻的檢測
- 用磁通計(jì)測量磁通量
- 電子電壓表
- 保險(xiǎn)電阻的檢測
- 晶體二極管與單結(jié)晶體管
- 帶阻尼管的行管電路解說
推薦技術(shù)資料
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和比賽最常用的控制方式,E48S... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究