測量線圈和電容器XC4VFX12-10FF668I時，可以選擇表5.4中的串聯(lián)等效電路或并聯(lián)等效電路來進(jìn)行測量。一般說來，對小容量電容器和高阻抗線圈，采用并聯(lián)等效電路測量，而對電解電容器一類的大容量電容器和小阻抗線圈多采用串聯(lián)等效電路進(jìn)行測量。

    等效電路的換算公式如下：
    L。    1    D2
    L。= Ls (1+Dz)    Ls—    G=百’T
    1+D2i- D2
    Cp一了{(lán)夸r  Cs一Cp (1+D2，  R一吉．了車D2-
    半導(dǎo)體特性的測試。半導(dǎo)體器件測量時的注意事項。由晶體二極管、晶體三極管、FET（場效應(yīng)晶體管）、晶閘管等半導(dǎo)體元器件的規(guī)格表中可以了解它們的特性。規(guī)格表中，一般給出半導(dǎo)體元器件的最大定額及其電氣特性。所謂最大定額是指不至引起半導(dǎo)體元器件性能老化或損壞并維持正常工作的參數(shù)的最大限僮。表5.5為晶體三極管2SC2320的最大定額表。使用時，要注意其電壓、電流、耗散功率和溫度等參數(shù)值不應(yīng)超過最大定額值。集電極最大耗散功率Pc為VCE與Ic的乘積，圖5.26中的V。。一J。特性上，用虛線描出了300mW的集電極耗散功率特性。晶體三極管的使用范圍必須在虛線的左側(cè)。另外，晶體三極管是有極性的半導(dǎo)體元件，必須區(qū)別NPN型和PNP型的不同，正確連接B（基極）、E（發(fā)射極）和C（集電極）各端子。

    晶體三極管靜特性的測試。測試晶體三極管特性時，一般采用曲線測試儀法或電壓一電流表法。圖5. 27示出了采用電壓一電流表法，對2SC2320共發(fā)射極接法的CE -IC特性的測試電路。讓參量IB保持在0.02mA不變，VCE從OV增加到5V，這時測量Ic值。然后，保持J。-0. 04mA不變，再測量Ic。這樣，在不同參變量IB時測得的VCE -IC犄性曲線如圖5.28所示。采用電壓一電流表法測試時需要較長時間，比較麻煩。而采用曲線測試儀時，瞬時就可以描繪出晶體三極管的靜特性，使用起來十分方便。用曲線測試儀測試晶體三極管時，要正確連接其發(fā)射極、集電極
和基極。用切換開關(guān)將發(fā)射極接地，確定集電極的最大電壓，確定參
變量基極電流，。的取值間隔。然后給晶體三極管施加電壓并使其流
過電流，則曲線測試儀即可描繪出圖5. 28所示的曲線。