半導(dǎo)體的種類
發(fā)布時間:2013/2/22 19:24:19 訪問次數(shù):876
我們已經(jīng)對半導(dǎo)體是具有導(dǎo)體和絕緣CAT1232LPV-GT3體之間的電導(dǎo)率（或是電阻率）的物質(zhì)進行了說明。半導(dǎo)體也是有很多種類的，在這里，我們看一下半導(dǎo)體的種類。
半導(dǎo)體分為無機半導(dǎo)體和有機半導(dǎo)體，無機半導(dǎo)體又分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體，顧名
思義，是由單一元素形成的半導(dǎo)體，包括硅( Si)、鍺(Ge)、碳(C)、碲(Te)等。
化合物半導(dǎo)體是由兩種以上元素組成的化合物形成的半導(dǎo)體�；衔锇雽�(dǎo)體根據(jù)構(gòu)成元素的數(shù)量分為二元化合物半導(dǎo)體、i元化合物半導(dǎo)體等。二元化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵( GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化銦( InP)、碳化硅(SiC)等。三元化合物半導(dǎo)體，如鋁鎵砷(AIGaAs)等。
氧化物半導(dǎo)體是由某種金屬的氧化物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如氧化鋅(Zn0)、銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)等。
有機半導(dǎo)體由有機材料構(gòu)成，如并四苯、蒽等。
半導(dǎo)體也分為不含雜質(zhì)（導(dǎo)電型雜質(zhì)）具有半導(dǎo)體性質(zhì)的本征半導(dǎo)體和摻人一定量雜質(zhì)具有半導(dǎo)體性質(zhì)的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體這種物質(zhì)除了電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間以外，根據(jù)物質(zhì)特有形態(tài)（如純度、存在形狀）和環(huán)境（如溫度、壓力、加速度）等的不同．電學(xué)性能也有很大變化。后續(xù)提到的很多電子裝置正是很好地利用了半導(dǎo)體的這些性質(zhì)。
半導(dǎo)體分為無機半導(dǎo)體和有機半導(dǎo)體，無機半導(dǎo)體又分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體，顧名
思義，是由單一元素形成的半導(dǎo)體，包括硅( Si)、鍺(Ge)、碳(C)、碲(Te)等。
化合物半導(dǎo)體是由兩種以上元素組成的化合物形成的半導(dǎo)體�；衔锇雽�(dǎo)體根據(jù)構(gòu)成元素的數(shù)量分為二元化合物半導(dǎo)體、i元化合物半導(dǎo)體等。二元化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵( GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化銦( InP)、碳化硅(SiC)等。三元化合物半導(dǎo)體，如鋁鎵砷(AIGaAs)等。
氧化物半導(dǎo)體是由某種金屬的氧化物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如氧化鋅(Zn0)、銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)等。
有機半導(dǎo)體由有機材料構(gòu)成，如并四苯、蒽等。
半導(dǎo)體也分為不含雜質(zhì)（導(dǎo)電型雜質(zhì)）具有半導(dǎo)體性質(zhì)的本征半導(dǎo)體和摻人一定量雜質(zhì)具有半導(dǎo)體性質(zhì)的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體這種物質(zhì)除了電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間以外，根據(jù)物質(zhì)特有形態(tài)（如純度、存在形狀）和環(huán)境（如溫度、壓力、加速度）等的不同．電學(xué)性能也有很大變化。后續(xù)提到的很多電子裝置正是很好地利用了半導(dǎo)體的這些性質(zhì)。
我們已經(jīng)對半導(dǎo)體是具有導(dǎo)體和絕緣CAT1232LPV-GT3體之間的電導(dǎo)率（或是電阻率）的物質(zhì)進行了說明。半導(dǎo)體也是有很多種類的，在這里，我們看一下半導(dǎo)體的種類。
半導(dǎo)體分為無機半導(dǎo)體和有機半導(dǎo)體，無機半導(dǎo)體又分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體，顧名
思義，是由單一元素形成的半導(dǎo)體，包括硅( Si)、鍺(Ge)、碳(C)、碲(Te)等。
化合物半導(dǎo)體是由兩種以上元素組成的化合物形成的半導(dǎo)體。化合物半導(dǎo)體根據(jù)構(gòu)成元素的數(shù)量分為二元化合物半導(dǎo)體、i元化合物半導(dǎo)體等。二元化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵( GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化銦( InP)、碳化硅(SiC)等。三元化合物半導(dǎo)體，如鋁鎵砷(AIGaAs)等。
氧化物半導(dǎo)體是由某種金屬的氧化物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如氧化鋅(Zn0)、銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)等。
有機半導(dǎo)體由有機材料構(gòu)成，如并四苯、蒽等。
半導(dǎo)體也分為不含雜質(zhì)（導(dǎo)電型雜質(zhì)）具有半導(dǎo)體性質(zhì)的本征半導(dǎo)體和摻人一定量雜質(zhì)具有半導(dǎo)體性質(zhì)的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體這種物質(zhì)除了電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間以外，根據(jù)物質(zhì)特有形態(tài)（如純度、存在形狀）和環(huán)境（如溫度、壓力、加速度）等的不同．電學(xué)性能也有很大變化。后續(xù)提到的很多電子裝置正是很好地利用了半導(dǎo)體的這些性質(zhì)。
半導(dǎo)體分為無機半導(dǎo)體和有機半導(dǎo)體，無機半導(dǎo)體又分為元素半導(dǎo)體、化合物半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體，顧名
思義，是由單一元素形成的半導(dǎo)體，包括硅( Si)、鍺(Ge)、碳(C)、碲(Te)等。
化合物半導(dǎo)體是由兩種以上元素組成的化合物形成的半導(dǎo)體。化合物半導(dǎo)體根據(jù)構(gòu)成元素的數(shù)量分為二元化合物半導(dǎo)體、i元化合物半導(dǎo)體等。二元化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵( GaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化銦( InP)、碳化硅(SiC)等。三元化合物半導(dǎo)體，如鋁鎵砷(AIGaAs)等。
氧化物半導(dǎo)體是由某種金屬的氧化物構(gòu)成的半導(dǎo)體，如氧化鋅(Zn0)、銦錫氧化物(ITO)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)等。
有機半導(dǎo)體由有機材料構(gòu)成，如并四苯、蒽等。
半導(dǎo)體也分為不含雜質(zhì)（導(dǎo)電型雜質(zhì)）具有半導(dǎo)體性質(zhì)的本征半導(dǎo)體和摻人一定量雜質(zhì)具有半導(dǎo)體性質(zhì)的雜質(zhì)半導(dǎo)體。
半導(dǎo)體這種物質(zhì)除了電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間以外，根據(jù)物質(zhì)特有形態(tài)（如純度、存在形狀）和環(huán)境（如溫度、壓力、加速度）等的不同．電學(xué)性能也有很大變化。后續(xù)提到的很多電子裝置正是很好地利用了半導(dǎo)體的這些性質(zhì)。
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