空穴導(dǎo)電的P型硅

發(fā)布時(shí)間:2013/2/22 19:33:04 訪問次數(shù):1679

   為了研究硅等半導(dǎo)體中的電流CAT4238TD-GT3流動(dòng)情況，空穴也是一種很重要的考慮方法�？昭ㄓ⑽姆Q為hole，意思是“帶正電荷的空洞”。在這里我們首先了解一下空穴。
    如毫“所示，單晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶體中的硅原子一部分被硼原子替換。硼最外層有3個(gè)電子，比硅少1個(gè)，因此硼原子周圍有4個(gè)硅原子時(shí)，形成3個(gè)共價(jià)鍵，有一個(gè)硅原子不能結(jié)合。也就是說，缺少一個(gè)電子，或者是說處于少一個(gè)結(jié)合鍵的狀態(tài)。
    單晶硅整體顯電中性，因此這個(gè)缺少電子之處，即是空穴，帶有與外部電子所帶負(fù)電荷大小相同、符號相反的正電荷。而且，在這個(gè)缺少電子之處，附近形成共價(jià)鍵的電子很容易進(jìn)入，從而在其原來所在的地方形成空穴。所以給單晶硅上加電場時(shí)，電子移動(dòng)方向與電場方向相反，而空穴則沿電場方向移動(dòng)。
    這種與電子符號相反電量相同的正電荷，在電場中可以容易地移動(dòng)的假想粒子稱為空穴。如果把束縛電子比喻成水的話，空穴就是其中產(chǎn)生的“氣泡”。
    空穴帶有正電荷( positive charge)，因此通過空穴傳導(dǎo)電流的硅禰為p型硅。也就是說，p型硅是以空穴為載流子的硅。p型硅中，電流流動(dòng)方向與空穴運(yùn)動(dòng)方向一致。

   為了研究硅等半導(dǎo)體中的電流CAT4238TD-GT3流動(dòng)情況，空穴也是一種很重要的考慮方法。空穴英文稱為hole，意思是“帶正電荷的空洞”。在這里我們首先了解一下空穴。
    如毫“所示，單晶硅中加入微量Ⅲ族元素硼(B)，晶體中的硅原子一部分被硼原子替換。硼最外層有3個(gè)電子，比硅少1個(gè)，因此硼原子周圍有4個(gè)硅原子時(shí)，形成3個(gè)共價(jià)鍵，有一個(gè)硅原子不能結(jié)合。也就是說，缺少一個(gè)電子，或者是說處于少一個(gè)結(jié)合鍵的狀態(tài)。
    單晶硅整體顯電中性，因此這個(gè)缺少電子之處，即是空穴，帶有與外部電子所帶負(fù)電荷大小相同、符號相反的正電荷。而且，在這個(gè)缺少電子之處，附近形成共價(jià)鍵的電子很容易進(jìn)入，從而在其原來所在的地方形成空穴。所以給單晶硅上加電場時(shí)，電子移動(dòng)方向與電場方向相反，而空穴則沿電場方向移動(dòng)。
    這種與電子符號相反電量相同的正電荷，在電場中可以容易地移動(dòng)的假想粒子稱為空穴。如果把束縛電子比喻成水的話，空穴就是其中產(chǎn)生的“氣泡”。
    空穴帶有正電荷( positive charge)，因此通過空穴傳導(dǎo)電流的硅禰為p型硅。也就是說，p型硅是以空穴為載流子的硅。p型硅中，電流流動(dòng)方向與空穴運(yùn)動(dòng)方向一致。

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相關(guān)IC型號: CAT4238TD-GT3; 暫無最新型號

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