提到的單晶硅是不含雜質(zhì)的CAT3626HV4-GT2純凈狀態(tài)、電阻率（夕）為4x l03Q.m的本征半導(dǎo)體。
    一方面，如圖1所示，單晶硅中加入微量的導(dǎo)電型雜質(zhì)磷(P)、砷(As)、硼(B)等，隨著雜質(zhì)濃度的變化，電阻率會(huì)有很大變化。這種添加雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。
    如圖2所示，單晶硅中加入微量磷、砷等V族元素后，晶體中會(huì)產(chǎn)生能夠自由移動(dòng)的電子。原因如下：以磷為例，磷原子最外層有5個(gè)電子，因此單晶中硅原子被磷原子替換，磷原子5個(gè)結(jié)合鍵中的4個(gè)與周圍4個(gè)硅原子以共價(jià)鍵結(jié)合，剩余一個(gè)。也就是說(shuō)，磷原子最外層的5個(gè)電子中，未參與結(jié)合的一個(gè)電子將處于自由狀態(tài)。這個(gè)電子因?yàn)槟芡ㄟ^(guò)電場(chǎng)在晶體中移動(dòng)，被稱為自由電子。

           
    另一方面，形成共價(jià)鍵的電子即使在電場(chǎng)中也不能移動(dòng)，因此稱為束縛電子或價(jià)電子。
    添加微量磷、砷等V族元素的單晶硅稱為n型硅。n型硅中由自由電子傳輸電荷，因?yàn)殡娮訋ж?fù)電荷( negative charge)，取其首字母稱之為“n型”。
    n型硅中傳輸電荷的物質(zhì)，即稱為載流子的是帶負(fù)電荷的電子，因此電流流動(dòng)方向與電子移動(dòng)方向相反。這是因?yàn)殡娮颖话l(fā)現(xiàn)之前，人們規(guī)定電流是從電壓高的部分流向電壓低的部分。