讓我們用能帶理論考慮中CAT660EVA-GT3描述的n型硅和p型硅。(a)給出了單晶硅中加入微量V族導(dǎo)電型雜質(zhì)磷(P)、砷(As)時的能帶。在這個圖中，導(dǎo)帶下面的禁帶中出現(xiàn)了通過摻雜產(chǎn)生的可以存在電子的位置（能級）。這個能級在導(dǎo)帶的下方，對于磷是在導(dǎo)帶下方44meV處，對于砷是在導(dǎo)帶下方49meV的位置。
    單晶硅處于室溫時，由于摻雜產(chǎn)生的具有一定能級的電子很容易向?qū)线w移，成為自由電子。因此，添加微量磷或砷的單晶硅，形成了以電子作為載流子的n型硅。由于磷或砷起到了向?qū)е刑峁╇娮拥淖饔�，因此被稱為施主雜質(zhì)或施主，由磷或砷形成的能量位置稱為施主能級。
    (b)給出單晶硅中加入微量Ⅲ族導(dǎo)電型雜質(zhì)硼(B)時的能帶。在這個圖中，價帶上方的禁帶中出現(xiàn)了由于摻雜硼而產(chǎn)生的能
夠存在電子的能級。這個能級在價帶上方45meV處。單晶硅處于室溫時，價帶中的價電子（束縛電子）很容易向由硼形成的能帶中遷移，價帶中便形成電子孔洞（空穴）。因此，添加微量硼的單晶硅，形成了以空穴作為載流子的p型硅。由于硼起到了從價帶中得到電子的作用，因此被稱為受主雜質(zhì)或受主，由同時硼形成的能級稱為受主能級。