具有與硅不同特征的半導(dǎo)體
發(fā)布時(shí)間:2013/2/22 19:40:14 訪問次數(shù):547
化合物半導(dǎo)體是由兩種以上的元素CAT811TTBI-GT3通過離子鍵形成化合物的半導(dǎo)體。關(guān)于化合物半導(dǎo)體我們?cè)谥幸呀?jīng)有所了解，根據(jù)周期表中各族元素(Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ、V、Ⅵ)組合的不同，如’所示，形成了Ⅱ-V族，Ⅱ．Ⅵ族，Ⅲ-V族，Ⅳ一Ⅳ族、Ⅳ．Ⅵ族化合物，并且根據(jù)組成元素的數(shù)量還可以細(xì)分為2元化合物、3元化合物和4元化合物。
但在 中，加符號(hào)（術(shù)）的化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成元素不是規(guī)則排列的，而是均勻地混合在一起的固體，即呈現(xiàn)混晶（固溶體）態(tài)，組成元素的比例是可以變化的。
化合物半導(dǎo)體中，根據(jù)組成元素和組成比例的不同，電學(xué)性能和光電性能或者說環(huán)境特性都有所變化，分別被用于高速、高頻以及低噪聲等電子設(shè)備或光電子設(shè)備上。
但是，與硅相比，化合物半導(dǎo)體很難做出大尺寸的優(yōu)質(zhì)單晶基板，成本也很高，而且能夠用于制造晶體管的結(jié)構(gòu)和特性等還有限制，因此還不能將其用于大規(guī)模集成電路方面。
中給出了被廣泛應(yīng)用的化合物半導(dǎo)體的材料。利用兩種化合物半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了比硅高20倍高速運(yùn)動(dòng)的HEMT（高電子遷移率晶體管），被應(yīng)用到微波元件、高速集成電路中�；衔锇雽�(dǎo)體的光電性能，也被用于發(fā)光、感光二極管和半導(dǎo)體激光器等方面。這些光電設(shè)備乜被廣泛應(yīng)用在光通信、光情報(bào)記憶、打印、照明、液晶的背光燈、光傳感器以及太陽能電池等領(lǐng)域。手機(jī)的各種元件中不僅有硅，也有化合物半導(dǎo)體。
但在 中，加符號(hào)（術(shù)）的化合物半導(dǎo)體的構(gòu)成元素不是規(guī)則排列的，而是均勻地混合在一起的固體，即呈現(xiàn)混晶（固溶體）態(tài)，組成元素的比例是可以變化的。
化合物半導(dǎo)體中，根據(jù)組成元素和組成比例的不同，電學(xué)性能和光電性能或者說環(huán)境特性都有所變化，分別被用于高速、高頻以及低噪聲等電子設(shè)備或光電子設(shè)備上。
但是，與硅相比，化合物半導(dǎo)體很難做出大尺寸的優(yōu)質(zhì)單晶基板，成本也很高，而且能夠用于制造晶體管的結(jié)構(gòu)和特性等還有限制，因此還不能將其用于大規(guī)模集成電路方面。
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