ECM龜容因素對電容產(chǎn)生輸出信號影響的討論
發(fā)布時間:2013/2/28 19:28:54 訪問次數(shù):646
電容器中電容變化對輸出信號影MAX319ESA響的問題，對電容傳聲器、駐極體電容傳聲器來說，則重點討論了其非線性失真的問題。眾所周知，電容傳聲器、駐極體電容傳聲器的非線性失真是由聲一電換能和電信號放大（阻抗變換）兩部分產(chǎn)生的，本文只討論由聲一電換能產(chǎn)生的部分。文獻[3]指出，電容器的電容應(yīng)包括兩部分：一部分是膜片與后極板之間形成的電容，該電容由于膜片受聲波作用而變化，稱為“變化電容”，記為C。；另一部分是與聲波作用無關(guān)的，稱為“固定電容”，記為C。，文獻[3]指出的是引線與外殼間的裝置電容及后面電路的輸入電容，又有兩部分，一部分是C。，為振膜通過墊片和背極間存在的雜散電容，Cs2為絕緣管體外的導電環(huán)和接地外殼間存在的雜散電容，Cs3為導電環(huán)內(nèi)絕緣管體通過PCB板和接地外殼間存在的雜散電容；另一部分是對駐極體電容傳聲器而言的，駐極體極化后還會增加的部分C。，則總電容值C應(yīng)為：總電容值C=變化電容十固定電容。固定電容C。這樣一來，使總的C。值增加了。若膜片的相對位移為艿。，膜片受聲波作用的等效位移為X，膜片與后極板間的靜態(tài)距。為膜片與后極板間靜態(tài)電容，Qo為靜態(tài)時（無聲波作用時）電容器存儲的電荷。這里的第一項是正常的信號電位差，它與膜片的相對位移艿。成正比，第二項與膜片的相對位移掰成正比，是非線性矢真項UD。
由此可見，降低電容傳聲器的聲一電轉(zhuǎn)換中的非線性，可有兩個途徑：①減少膜片的相對位移文，但這與傳聲器的靈敏度相矛盾；②增大的數(shù)值，這樣，就要提高C。。的數(shù)值或降低C。的數(shù)值。而要提高C。。的數(shù)值則需要加大電容器的有效面積或減小膜片與背電極間的距離，這就涉及電容器的整體結(jié)構(gòu)和尺寸；在降低C。的數(shù)值方面，應(yīng)該考慮的又有兩部分，一部分是C，為振膜通過墊片和背極間存在的雜散電容，C。為絕緣管體外的導電環(huán)和接地外殼間存在的雜散電容，為導電環(huán)內(nèi)絕緣管體通過PCB板和接地外殼間存在的雜散電容；另一部分是對駐極體電容傳聲器而言的，駐極體極化后還會增大C。。由此可見，相同尺寸、相同材質(zhì)的電容傳聲器和駐極體電容傳聲器來比較，對駐極體電容傳聲器而言，駐極體極化后還會增大。而且本文中的實測結(jié)果表明C項的影響是“天生”的、明顯的、不能忽略的。目前有些傳聲器、駐極體電客傳聲器生產(chǎn)公司對電容傳聲器的非線性畸變的問題重視不夠，特別是對增大的數(shù)值方面，也沒有深入工作，因此，表現(xiàn)出來的是，優(yōu)秀的駐極體電容傳聲器非常少見，一般廠商的產(chǎn)品在高聲壓級下的非線性畸變較大。這些產(chǎn)品不宜在高聲壓級下工作，不宜用于近距離拾音。
由此可見，降低電容傳聲器的聲一電轉(zhuǎn)換中的非線性，可有兩個途徑：①減少膜片的相對位移文，但這與傳聲器的靈敏度相矛盾；②增大的數(shù)值，這樣，就要提高C。。的數(shù)值或降低C。的數(shù)值。而要提高C。。的數(shù)值則需要加大電容器的有效面積或減小膜片與背電極間的距離，這就涉及電容器的整體結(jié)構(gòu)和尺寸；在降低C。的數(shù)值方面，應(yīng)該考慮的又有兩部分，一部分是C，為振膜通過墊片和背極間存在的雜散電容，C。為絕緣管體外的導電環(huán)和接地外殼間存在的雜散電容，為導電環(huán)內(nèi)絕緣管體通過PCB板和接地外殼間存在的雜散電容；另一部分是對駐極體電容傳聲器而言的，駐極體極化后還會增大C。。由此可見，相同尺寸、相同材質(zhì)的電容傳聲器和駐極體電容傳聲器來比較，對駐極體電容傳聲器而言，駐極體極化后還會增大。而且本文中的實測結(jié)果表明C項的影響是“天生”的、明顯的、不能忽略的。目前有些傳聲器、駐極體電客傳聲器生產(chǎn)公司對電容傳聲器的非線性畸變的問題重視不夠，特別是對增大的數(shù)值方面，也沒有深入工作，因此，表現(xiàn)出來的是，優(yōu)秀的駐極體電容傳聲器非常少見，一般廠商的產(chǎn)品在高聲壓級下的非線性畸變較大。這些產(chǎn)品不宜在高聲壓級下工作，不宜用于近距離拾音。
電容器中電容變化對輸出信號影MAX319ESA響的問題，對電容傳聲器、駐極體電容傳聲器來說，則重點討論了其非線性失真的問題。眾所周知，電容傳聲器、駐極體電容傳聲器的非線性失真是由聲一電換能和電信號放大（阻抗變換）兩部分產(chǎn)生的，本文只討論由聲一電換能產(chǎn)生的部分。文獻[3]指出，電容器的電容應(yīng)包括兩部分：一部分是膜片與后極板之間形成的電容，該電容由于膜片受聲波作用而變化，稱為“變化電容”，記為C。；另一部分是與聲波作用無關(guān)的，稱為“固定電容”，記為C。，文獻[3]指出的是引線與外殼間的裝置電容及后面電路的輸入電容，又有兩部分，一部分是C。，為振膜通過墊片和背極間存在的雜散電容，Cs2為絕緣管體外的導電環(huán)和接地外殼間存在的雜散電容，Cs3為導電環(huán)內(nèi)絕緣管體通過PCB板和接地外殼間存在的雜散電容；另一部分是對駐極體電容傳聲器而言的，駐極體極化后還會增加的部分C。，則總電容值C應(yīng)為：總電容值C=變化電容十固定電容。固定電容C。這樣一來，使總的C。值增加了。若膜片的相對位移為艿。，膜片受聲波作用的等效位移為X，膜片與后極板間的靜態(tài)距。為膜片與后極板間靜態(tài)電容，Qo為靜態(tài)時（無聲波作用時）電容器存儲的電荷。這里的第一項是正常的信號電位差，它與膜片的相對位移艿。成正比，第二項與膜片的相對位移掰成正比，是非線性矢真項UD。
由此可見，降低電容傳聲器的聲一電轉(zhuǎn)換中的非線性，可有兩個途徑：①減少膜片的相對位移文，但這與傳聲器的靈敏度相矛盾；②增大的數(shù)值，這樣，就要提高C。。的數(shù)值或降低C。的數(shù)值。而要提高C。。的數(shù)值則需要加大電容器的有效面積或減小膜片與背電極間的距離，這就涉及電容器的整體結(jié)構(gòu)和尺寸；在降低C。的數(shù)值方面，應(yīng)該考慮的又有兩部分，一部分是C，為振膜通過墊片和背極間存在的雜散電容，C。為絕緣管體外的導電環(huán)和接地外殼間存在的雜散電容，為導電環(huán)內(nèi)絕緣管體通過PCB板和接地外殼間存在的雜散電容；另一部分是對駐極體電容傳聲器而言的，駐極體極化后還會增大C。。由此可見，相同尺寸、相同材質(zhì)的電容傳聲器和駐極體電容傳聲器來比較，對駐極體電容傳聲器而言，駐極體極化后還會增大。而且本文中的實測結(jié)果表明C項的影響是“天生”的、明顯的、不能忽略的。目前有些傳聲器、駐極體電客傳聲器生產(chǎn)公司對電容傳聲器的非線性畸變的問題重視不夠，特別是對增大的數(shù)值方面，也沒有深入工作，因此，表現(xiàn)出來的是，優(yōu)秀的駐極體電容傳聲器非常少見，一般廠商的產(chǎn)品在高聲壓級下的非線性畸變較大。這些產(chǎn)品不宜在高聲壓級下工作，不宜用于近距離拾音。
由此可見，降低電容傳聲器的聲一電轉(zhuǎn)換中的非線性，可有兩個途徑：①減少膜片的相對位移文，但這與傳聲器的靈敏度相矛盾；②增大的數(shù)值，這樣，就要提高C。。的數(shù)值或降低C。的數(shù)值。而要提高C。。的數(shù)值則需要加大電容器的有效面積或減小膜片與背電極間的距離，這就涉及電容器的整體結(jié)構(gòu)和尺寸；在降低C。的數(shù)值方面，應(yīng)該考慮的又有兩部分，一部分是C，為振膜通過墊片和背極間存在的雜散電容，C。為絕緣管體外的導電環(huán)和接地外殼間存在的雜散電容，為導電環(huán)內(nèi)絕緣管體通過PCB板和接地外殼間存在的雜散電容；另一部分是對駐極體電容傳聲器而言的，駐極體極化后還會增大C。。由此可見，相同尺寸、相同材質(zhì)的電容傳聲器和駐極體電容傳聲器來比較，對駐極體電容傳聲器而言，駐極體極化后還會增大。而且本文中的實測結(jié)果表明C項的影響是“天生”的、明顯的、不能忽略的。目前有些傳聲器、駐極體電客傳聲器生產(chǎn)公司對電容傳聲器的非線性畸變的問題重視不夠，特別是對增大的數(shù)值方面，也沒有深入工作，因此，表現(xiàn)出來的是，優(yōu)秀的駐極體電容傳聲器非常少見，一般廠商的產(chǎn)品在高聲壓級下的非線性畸變較大。這些產(chǎn)品不宜在高聲壓級下工作，不宜用于近距離拾音。
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