測(cè)量晶體三極管的放大倍數(shù)
發(fā)布時(shí)間:2013/3/5 19:37:40 訪問(wèn)次數(shù):1426
基極b確定以后,即可識(shí)別集電極c和發(fā)射極e,并測(cè)量160-10-314-00-001101晶體三極管的電流放大系數(shù)_8。
用MF-47等具有“盧”或擋的萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),萬(wàn)用表置于擋,如圖2-14所示將晶體三極管插入測(cè)量插座(基極插入b孔,另兩個(gè)引腳隨意插入),記下口讀數(shù)。再將另兩個(gè)引腳對(duì)調(diào)后插入,也記下口讀數(shù)。兩次測(cè)量中,讀數(shù)大的那一次引腳插入是正確的。測(cè)量時(shí)需注意NPN型晶體三極管和PNP型晶體三極管應(yīng)插入各自相應(yīng)的插座。
電阻擋估測(cè)晶體三極管的放大倍數(shù)
用萬(wàn)用表電咀擋可以估測(cè)晶體三極管的放大倍數(shù)。以NPN型晶體三極管為例,測(cè)量時(shí)萬(wàn)用表置于“R xlk”擋,紅表筆接基極以外的一個(gè)引腳,左手拇指與中指將黑表筆與基極捏在一起,同時(shí)用左手食指觸摸余下的引腳,如圖2 -15所示,這時(shí)表針應(yīng)向右擺動(dòng)。
將基極以外的兩個(gè)引腳對(duì)調(diào)后再測(cè)一次。兩次測(cè)量中,表針擺動(dòng)幅度較大的那一次,黑表筆所接為集電極,紅表筆所接為發(fā)射極。表針擺動(dòng)幅度越大,說(shuō)明被測(cè)晶體三極管的|B值越大。
區(qū)分鍺晶體三極管與硅晶體三極管
由于鍺晶體三極管的PN結(jié)壓降約為0.3V,而硅晶體三極管的PN結(jié)壓降約為0. 7V,所以可通過(guò)測(cè)量b-e結(jié)正向電阻的方法來(lái)區(qū)分鍺晶體三極管和硅晶體三極管。
檢測(cè)時(shí)萬(wàn)用表置于“R×lk”擋,對(duì)于NPN型晶體三極,黑表筆接基極b,紅表筆接發(fā)射極e,如果測(cè)得的電阻值小于lktl,則被測(cè)管是鍺晶體三極管;如果測(cè)得的電阻值為5~ lOkfl,則被測(cè)管是硅晶體三極管,如圖2 -16所示。對(duì)于PNP型晶體三極管,則對(duì)調(diào)兩表筆后測(cè)量。
基極b確定以后,即可識(shí)別集電極c和發(fā)射極e,并測(cè)量160-10-314-00-001101晶體三極管的電流放大系數(shù)_8。
用MF-47等具有“盧”或擋的萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),萬(wàn)用表置于擋,如圖2-14所示將晶體三極管插入測(cè)量插座(基極插入b孔,另兩個(gè)引腳隨意插入),記下口讀數(shù)。再將另兩個(gè)引腳對(duì)調(diào)后插入,也記下口讀數(shù)。兩次測(cè)量中,讀數(shù)大的那一次引腳插入是正確的。測(cè)量時(shí)需注意NPN型晶體三極管和PNP型晶體三極管應(yīng)插入各自相應(yīng)的插座。
電阻擋估測(cè)晶體三極管的放大倍數(shù)
用萬(wàn)用表電咀擋可以估測(cè)晶體三極管的放大倍數(shù)。以NPN型晶體三極管為例,測(cè)量時(shí)萬(wàn)用表置于“R xlk”擋,紅表筆接基極以外的一個(gè)引腳,左手拇指與中指將黑表筆與基極捏在一起,同時(shí)用左手食指觸摸余下的引腳,如圖2 -15所示,這時(shí)表針應(yīng)向右擺動(dòng)。
將基極以外的兩個(gè)引腳對(duì)調(diào)后再測(cè)一次。兩次測(cè)量中,表針擺動(dòng)幅度較大的那一次,黑表筆所接為集電極,紅表筆所接為發(fā)射極。表針擺動(dòng)幅度越大,說(shuō)明被測(cè)晶體三極管的|B值越大。
區(qū)分鍺晶體三極管與硅晶體三極管
由于鍺晶體三極管的PN結(jié)壓降約為0.3V,而硅晶體三極管的PN結(jié)壓降約為0. 7V,所以可通過(guò)測(cè)量b-e結(jié)正向電阻的方法來(lái)區(qū)分鍺晶體三極管和硅晶體三極管。
檢測(cè)時(shí)萬(wàn)用表置于“R×lk”擋,對(duì)于NPN型晶體三極,黑表筆接基極b,紅表筆接發(fā)射極e,如果測(cè)得的電阻值小于lktl,則被測(cè)管是鍺晶體三極管;如果測(cè)得的電阻值為5~ lOkfl,則被測(cè)管是硅晶體三極管,如圖2 -16所示。對(duì)于PNP型晶體三極管,則對(duì)調(diào)兩表筆后測(cè)量。
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