場效應(yīng)晶體管外形與晶體三171J極管幾乎一樣，如圖2-22所示。場效應(yīng)管的種類有很多，分類如圖2-23所示，主要分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管和絕緣柵場效應(yīng)晶體管兩大類，它們又都有N溝道和P溝道之分。
    絕緣柵揚(yáng)效應(yīng)晶體管也叫做金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，即MOS場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，分為耗盡型MOSFET和增強(qiáng)型MOSFET。

            
    場效應(yīng)晶體管還有單柵極和雙柵極之分。雙柵場效應(yīng)晶體管具有兩個(gè)互相獨(dú)立的柵極G．和G，從結(jié)構(gòu)上看相當(dāng)于由兩個(gè)單柵場效應(yīng)晶體管串聯(lián)而成，其輸出電流的變化受到兩個(gè)柵極電壓的控制。雙柵場效應(yīng)晶體管的這種特性，使得其用作高頻放大器、增益控制放大器、混頻器和解調(diào)器時(shí)帶來很大方便。

             
    場效應(yīng)晶體管的文字符號(hào)為“VF”（或“VE”），圖形符號(hào)如圖2 -24所示。
    場效應(yīng)晶體管一般具有3個(gè)引腳（雙柵場效應(yīng)晶體管具有4個(gè)引腳），分別是柵極G、源極S和漏極D，它們的功能分別對(duì)應(yīng)于雙極型晶體管的基極b、發(fā)射極e和集電極c。由于場效應(yīng)晶體管的源極S和漏極D是對(duì)稱的，實(shí)際使用中可以互換。常用場效應(yīng)晶體管的引腳如圖2-25所示，使用中應(yīng)注意識(shí)別。