絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管因柵極與溝道1SMB70AT3G之間有一層二氧化硅絕緣層而得名，分為耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管兩類(lèi)。絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有極高的輸入阻抗，約為l09~ 10”Q。
    耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能特點(diǎn)是，當(dāng)柵極電壓U。=0時(shí)右一定的漏極電流。對(duì)于N溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，漏極加正電壓，柵極電壓從“0”逐漸上升時(shí)漏極電流，。逐漸增大，柵極電壓從“O”逐漸下降時(shí)漏極電流，。逐漸減小直至截止。對(duì)于P溝道耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，漏極加負(fù)電壓，柵極電壓從“0”逐漸下降時(shí)漏極電流
。逐漸增大，柵極電壓從“0”逐漸上升時(shí)漏極電流。逐漸減小直至截止。
    圖2-28所示為耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線（曲線）。常用耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管有3D01型、3D02型、3D04型等。

           
    圖2 -28耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性曲線
    增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
    增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管正常工作時(shí)，柵極應(yīng)加正偏壓（即與漏極電壓相同）。對(duì)于N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，漏極和柵極均加正電壓。對(duì)于P溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，漏極和柵極均加負(fù)電壓。
    增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的性能特點(diǎn)是，當(dāng)柵極電壓U=0時(shí)截止。柵極電壓的絕對(duì)值達(dá)到開(kāi)啟電壓U，時(shí)開(kāi)始有漏極電流，柵極電壓的絕對(duì)值越大漏極電流越大。
    圖2-29所示為增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線（曲線）。常用增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管有3C01型、3C02型、3C03型、3C06型、3D03型、3D06型等。