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檢測場效應(yīng)晶體管

發(fā)布時間:2013/3/5 20:02:47 訪問次數(shù):1866

    場效應(yīng)晶俸管可以用萬用表24LC02B-I/P進行引腳識別和檢測。
    1.引腳識別與檢測
    結(jié)型場效應(yīng)晶體管的引腳識別方法如圖2-31所示,萬用表置于“尺xlk”擋,用兩表筆分別測量每兩個引腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個引腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)千歐時,則這兩個引腳為漏極D和源極S(可互換),余下的一個引腳即為柵極G。

           
    2.區(qū)分N溝道與P溝道場效應(yīng)晶體管
    如圖2-32所示,萬用表置于“Rxlk”擋,黑表筆接?xùn)艠OG,紅表筆分別接另外兩個引腳,如果測得兩個電阻值均很大,則為N溝道場效應(yīng)晶體管。如果測得兩個電阻值均很小,則為P溝道場效應(yīng)晶體管。如果測量結(jié)果不符合以上兩步,則說明該場效應(yīng)晶體管已壞或性能不良。

            
    3.估測結(jié)型場效應(yīng)晶體管的放大能力
    區(qū)分N溝道與P溝道場效應(yīng)晶體管柵極G(注入人體感應(yīng)電壓),表針應(yīng)向左或向右擺動,如圖2-33所示。表針擺動幅度越大說明場效應(yīng)晶體管的放大能力越大。如果表針不動,說明該管已壞。
    4.估測絕緣柵場效應(yīng)晶體管( MOSFET)的放大能力
    測量時,由于絕緣柵場效應(yīng)晶體管( MOSFET)的輸入阻抗極高,為防止人體感應(yīng)電壓引起柵極擊穿,不要用手直接接觸柵極G,而應(yīng)手拿螺釘旋具的絕緣柄,用螺釘旋具的金屬桿去接觸柵極G,如圖2-34所示。判斷方法與測量結(jié)型場效應(yīng)晶體管相同。

    場效應(yīng)晶俸管可以用萬用表24LC02B-I/P進行引腳識別和檢測。
    1.引腳識別與檢測
    結(jié)型場效應(yīng)晶體管的引腳識別方法如圖2-31所示,萬用表置于“尺xlk”擋,用兩表筆分別測量每兩個引腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個引腳間的正、反向電阻相等,均為數(shù)千歐時,則這兩個引腳為漏極D和源極S(可互換),余下的一個引腳即為柵極G。

           
    2.區(qū)分N溝道與P溝道場效應(yīng)晶體管
    如圖2-32所示,萬用表置于“Rxlk”擋,黑表筆接?xùn)艠OG,紅表筆分別接另外兩個引腳,如果測得兩個電阻值均很大,則為N溝道場效應(yīng)晶體管。如果測得兩個電阻值均很小,則為P溝道場效應(yīng)晶體管。如果測量結(jié)果不符合以上兩步,則說明該場效應(yīng)晶體管已壞或性能不良。

            
    3.估測結(jié)型場效應(yīng)晶體管的放大能力
    區(qū)分N溝道與P溝道場效應(yīng)晶體管柵極G(注入人體感應(yīng)電壓),表針應(yīng)向左或向右擺動,如圖2-33所示。表針擺動幅度越大說明場效應(yīng)晶體管的放大能力越大。如果表針不動,說明該管已壞。
    4.估測絕緣柵場效應(yīng)晶體管( MOSFET)的放大能力
    測量時,由于絕緣柵場效應(yīng)晶體管( MOSFET)的輸入阻抗極高,為防止人體感應(yīng)電壓引起柵極擊穿,不要用手直接接觸柵極G,而應(yīng)手拿螺釘旋具的絕緣柄,用螺釘旋具的金屬桿去接觸柵極G,如圖2-34所示。判斷方法與測量結(jié)型場效應(yīng)晶體管相同。

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3-5檢測場效應(yīng)晶體管

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