肖特基二極管(Schottky Barrier Diode)  肖特基二極管具E-TDE1707BFPT有反向恢復(fù)時(shí)間很短、正向壓降較低的特性，常用于高頻整流、檢波、高速脈沖箱位等。肖特基二極管以多數(shù)載流子導(dǎo)電的，其反向飽和電流比以少數(shù)載流子導(dǎo)電的普通二極管大得多。同時(shí)由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)甚微，其頻率僅受到時(shí)間常數(shù)(RC)限制，是高頻和快速開關(guān)的理想器件，工作頻率可達(dá)100GHz。

           
    肖特基二極管在結(jié)構(gòu)上與普通二極管有很大區(qū)別，其內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅(S102)電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N+陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變�。环粗�，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。肖特基二極管的外形，如圖4-13所示。常用肖特基二極管的參數(shù)，如表4-4所示。