二極管的識(shí)別
發(fā)布時(shí)間:2013/3/16 20:04:36 訪問(wèn)次數(shù):1150
二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單，小功率二極管EW-512的N極（負(fù)極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來(lái)，有些二極管也用二極管專(zhuān)用符號(hào)來(lái)表示P極（正極）或N極（負(fù)極），也有采用符號(hào)標(biāo)志為“P”、“N”來(lái)確定二極管極性的。二極管在電路中常用“VD”加教字表示，如VD1表示編號(hào)或序號(hào)為1的二極管。
二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
二極管的導(dǎo)電特性
>正向特性 正向電壓UF小于門(mén)檻電壓UT時(shí)，二極管VD截止，正向電流b=o；其中，門(mén)檻電壓UT=o5V（硅管），UT=0.2V（鍺管）。UF>UT時(shí)，二極管VD導(dǎo)通，IF急劇增大。導(dǎo)通后二極管VD兩端電壓基本恒定，導(dǎo)通電壓U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（鍺管）。
正偏時(shí)電阻小，具有非線性。 當(dāng)正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓( UT)后，隨著電壓的升高，正向電流迅速增大。
>反向特性反向電壓UR<URM（反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流IR很小，且近似為常數(shù)，稱(chēng)為反向飽和電流。UR >URM時(shí)，IR劇增，此現(xiàn)象稱(chēng)為反向電擊穿。對(duì)應(yīng)的電壓URM稱(chēng)為反向擊穿電壓。
反偏電阻大，存在電擊穿現(xiàn)象。擊穿并不意味管子損壞，若控制擊穿電流，電壓降低后，還可恢復(fù)正常。
二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
二極管的導(dǎo)電特性
>正向特性 正向電壓UF小于門(mén)檻電壓UT時(shí)，二極管VD截止，正向電流b=o；其中，門(mén)檻電壓UT=o5V（硅管），UT=0.2V（鍺管）。UF>UT時(shí)，二極管VD導(dǎo)通，IF急劇增大。導(dǎo)通后二極管VD兩端電壓基本恒定，導(dǎo)通電壓U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（鍺管）。
正偏時(shí)電阻小，具有非線性。 當(dāng)正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓( UT)后，隨著電壓的升高，正向電流迅速增大。
>反向特性反向電壓UR<URM（反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流IR很小，且近似為常數(shù)，稱(chēng)為反向飽和電流。UR >URM時(shí)，IR劇增，此現(xiàn)象稱(chēng)為反向電擊穿。對(duì)應(yīng)的電壓URM稱(chēng)為反向擊穿電壓。
反偏電阻大，存在電擊穿現(xiàn)象。擊穿并不意味管子損壞，若控制擊穿電流，電壓降低后，還可恢復(fù)正常。
二極管的識(shí)別很簡(jiǎn)單，小功率二極管EW-512的N極（負(fù)極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來(lái)，有些二極管也用二極管專(zhuān)用符號(hào)來(lái)表示P極（正極）或N極（負(fù)極），也有采用符號(hào)標(biāo)志為“P”、“N”來(lái)確定二極管極性的。二極管在電路中常用“VD”加教字表示，如VD1表示編號(hào)或序號(hào)為1的二極管。
二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
二極管的導(dǎo)電特性
>正向特性 正向電壓UF小于門(mén)檻電壓UT時(shí)，二極管VD截止，正向電流b=o；其中，門(mén)檻電壓UT=o5V（硅管），UT=0.2V（鍺管）。UF>UT時(shí)，二極管VD導(dǎo)通，IF急劇增大。導(dǎo)通后二極管VD兩端電壓基本恒定，導(dǎo)通電壓U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（鍺管）。
正偏時(shí)電阻小，具有非線性。 當(dāng)正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓( UT)后，隨著電壓的升高，正向電流迅速增大。
>反向特性反向電壓UR<URM（反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流IR很小，且近似為常數(shù)，稱(chēng)為反向飽和電流。UR >URM時(shí)，IR劇增，此現(xiàn)象稱(chēng)為反向電擊穿。對(duì)應(yīng)的電壓URM稱(chēng)為反向擊穿電壓。
反偏電阻大，存在電擊穿現(xiàn)象。擊穿并不意味管子損壞，若控制擊穿電流，電壓降低后，還可恢復(fù)正常。
二極管的基礎(chǔ)知識(shí)
二極管的導(dǎo)電特性
>正向特性 正向電壓UF小于門(mén)檻電壓UT時(shí)，二極管VD截止，正向電流b=o；其中，門(mén)檻電壓UT=o5V（硅管），UT=0.2V（鍺管）。UF>UT時(shí)，二極管VD導(dǎo)通，IF急劇增大。導(dǎo)通后二極管VD兩端電壓基本恒定，導(dǎo)通電壓U。。一0.7V（硅
管），UON=0.3V（鍺管）。
正偏時(shí)電阻小，具有非線性。 當(dāng)正向電壓超過(guò)死區(qū)電壓( UT)后，隨著電壓的升高，正向電流迅速增大。
>反向特性反向電壓UR<URM（反向擊穿電壓）時(shí)，反向電流IR很小，且近似為常數(shù)，稱(chēng)為反向飽和電流。UR >URM時(shí)，IR劇增，此現(xiàn)象稱(chēng)為反向電擊穿。對(duì)應(yīng)的電壓URM稱(chēng)為反向擊穿電壓。
反偏電阻大，存在電擊穿現(xiàn)象。擊穿并不意味管子損壞，若控制擊穿電流，電壓降低后，還可恢復(fù)正常。
相關(guān)技術(shù)資料- 3-16二極管的識(shí)別
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- EW-512
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