晶閘管又叫可控硅(SCR) (Silicon Controlled Rectifier)，是一種大功率CD4001BE半導(dǎo)體器件，最早出現(xiàn)于20世紀(jì)70年代。它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。晶閘管主要特點(diǎn)是控制能力很強(qiáng)，只要幾十到幾百毫安電流和幾伏電壓的小信號(hào)，便能控制大電流、高電壓電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)。具有體積小、重量輕、效率高、壽命長(zhǎng)、使用靈活方便等優(yōu)點(diǎn)。
    晶閘管也像同二極管那樣具有單向?qū)щ娦裕鋵?dǎo)通時(shí)間是可控的，主要用于整流、逆變、調(diào)壓及開(kāi)關(guān)等方面。
    晶閘管基本結(jié)構(gòu)  可控硅是PINIP2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)，分析原理時(shí)，可以把它當(dāng)作由一個(gè)PNP管和一
個(gè)NPN管所組成，其外形、結(jié)構(gòu)及符號(hào)，如圖8-10所示。

           
    可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。有陽(yáng)極A、陰極中、控制極G三個(gè)引腳。  雙向可控硅有第一陽(yáng)極Al(Tl)，第二陽(yáng)極A2
(T2)、控制極G三個(gè)引腳。
    陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí)，三極管Vl和三極管V2均處于放大狀態(tài)。此時(shí)，若從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào)，V2便有基流
IG流過(guò)，經(jīng)V2放大，其集電極電流IK一p2 IG。由于V2的集電極直接與Vl的基極相連，此時(shí)三極管V2的集電極電流工。2再經(jīng)Vl放大，Vl的集電極電流工。這個(gè)電流又流回到V2的基極，形成了正反饋，使IG不斷增大，如此循環(huán)，兩個(gè)管子的電流劇增，可控硅使飽和導(dǎo)通。    由于三極管Vl和三極管V2管所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔�，所以一旦可控硅�?dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，能夠維持可控硅導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，可控硅是不可關(guān)斷的。