>開啟電壓UT  MOS增強型管88E6046-A2-TAH1C000的參數(shù)，柵源電壓小于開啟電壓的絕對值，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。
    >夾斷電壓UP  耗盡型FET的參數(shù)，當(dāng)Ucs =UP時，漏極電流為零。
    >飽和漏極電流IDSS  耗盡型場效應(yīng)三極管當(dāng)Ucs—o時所對應(yīng)的漏極電流。
    >直流輸入電阻RGs  柵源間所加的恒定電壓Ucs與流過柵極電流IGS之比。結(jié)型：大于l07Q，絕緣柵：l09～lOisQ。
    >漏源擊穿電壓U (BR) DS  使ID開始劇增時的UDS。
    >柵源擊穿電壓U (BR) GS
    JFET:反向飽和電流劇增時的柵源電壓。
    MOS:使S102絕緣層擊穿的電壓。
    >低頻跨導(dǎo)g。  反映了柵源壓對漏極電流的控制作用。UDS -定時，漏極電流變化量AID和柵源電壓變化量AUcs之比。表示了柵源電壓對漏極電流的控制能力。

          
    >極間電容場效應(yīng)管三個電極之間的等效電容CGs（柵極與源極間電容）、CGD（柵極與漏極間電容）、CDs（源極與漏極間電容）。一般為幾個皮法，結(jié)電容小的管子，高頻性能好。