效應(yīng)晶體管如何分類
發(fā)布時間:2013/3/25 19:18:52 訪問次數(shù):588
效應(yīng)晶體管如2SK2857-T1-AZ何分類？
場效應(yīng)晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結(jié)構(gòu)分類
場效應(yīng)晶體管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優(yōu)越，發(fā)展迅速，應(yīng)用廣泛。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的特點是兩個PN結(jié)。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應(yīng)晶體管中，應(yīng)用最廣泛的是MOS場效應(yīng)管(即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應(yīng)晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導(dǎo)電方式分類
場效應(yīng)晶體管按導(dǎo)電方式可分為耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應(yīng)晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應(yīng)晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應(yīng)晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應(yīng)晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
場效應(yīng)晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結(jié)構(gòu)分類
場效應(yīng)晶體管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優(yōu)越，發(fā)展迅速，應(yīng)用廣泛。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的特點是兩個PN結(jié)。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應(yīng)晶體管中，應(yīng)用最廣泛的是MOS場效應(yīng)管(即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應(yīng)晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導(dǎo)電方式分類
場效應(yīng)晶體管按導(dǎo)電方式可分為耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應(yīng)晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應(yīng)晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應(yīng)晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應(yīng)晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
效應(yīng)晶體管如2SK2857-T1-AZ何分類？
場效應(yīng)晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結(jié)構(gòu)分類
場效應(yīng)晶體管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優(yōu)越，發(fā)展迅速，應(yīng)用廣泛。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的特點是兩個PN結(jié)。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應(yīng)晶體管中，應(yīng)用最廣泛的是MOS場效應(yīng)管(即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應(yīng)晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導(dǎo)電方式分類
場效應(yīng)晶體管按導(dǎo)電方式可分為耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應(yīng)晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應(yīng)晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應(yīng)晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應(yīng)晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
場效應(yīng)晶體管的分類有以下幾種形式。
1．按結(jié)構(gòu)分類
場效應(yīng)晶體管按結(jié)構(gòu)可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管( JFET)、絕緣柵型場效應(yīng)晶體管( IGFET)兩大類，后者性能更為優(yōu)越，發(fā)展迅速，應(yīng)用廣泛。
結(jié)型場效應(yīng)晶體管的特點是兩個PN結(jié)。絕緣柵型場效應(yīng)晶體管的特點是柵極與其他電極完全絕緣。目前在絕緣柵型場效應(yīng)晶體管中，應(yīng)用最廣泛的是MOS場效應(yīng)管(即金屬一氧化物一半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS-FET)。此外，還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)晶體管等。
2．按溝道材料分類
場效應(yīng)晶體管按溝道材料可分為N溝道和P溝道兩種。
3．按導(dǎo)電方式分類
場效應(yīng)晶體管按導(dǎo)電方式可分為耗盡型與增強型。結(jié)型場效應(yīng)晶體管均為耗盡型；絕緣柵型場效應(yīng)晶體管既有耗盡型的，也有增強型的。
MOS場效應(yīng)晶體管有四種類型，如圖1- 20所示。圖中(a)為IN溝道耗盡型，(b)為P溝道耗盡型，(c)為N溝道增強型，(d)為iP溝道增強型。MOS場效應(yīng)晶體管有四個電極，即柵極(G)、漏極(D)、源極(S)和襯底(B)，通常將襯底(B)鳥源極(S)相連，所以，從場效應(yīng)晶體管的外形看它是一個三端電路元器件。
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