獨石電容器
發(fā)布時間:2013/3/26 19:30:58 訪問次數(shù):1723
獨石電容器是多層陶瓷電容器PMBFJ309的別稱，它是在若干片陶瓷薄坯上覆以電極材料涂層．疊合后經低溫燒結成一個整體，然后再用樹脂膠封裝而成，如圖1-48所示。獨石電容包括多層陶瓷電容器（片式）、圓片陶瓷電容器（引腳式獨石電容比一般的高頻瓷介電容要鼓一點，也就是一般的高頻小瓷片電容比它要扁一點）等，由于元器件小型化、貼片化的飛速發(fā)展，常規(guī)圓片陶瓷電容器逐步被多層陶瓷電容器取代，人們把多層陶瓷電容器簡稱為獨石電容器或貼片電容器。
云母電容器
云母電容器的介質為云母片，電極有金屬箔式的和金屬膜式的。早先的云母電容器是由金屬箔或在云母片表面上噴銀構成電極，再按需要的容量將它們一層一層疊合后（層數(shù)越多電容就越大），再壓鑄在膠木粉或用環(huán)氧樹脂封固制成，如圖1-49所示。目前大多在云母介質上覆一層銀電極，芯子結構是裝疊而成的，然后再裝入外殼封裝而構成電容器。外殼有陶瓷外殼、金屬外殼及塑料外殼，常用的為塑料外殼。
圖1-49云母電容器結構及外形
云母電容器通常的容值范圍為lpF～0.1V,F，額定電壓為100～2500V直流電壓。其特點是介質損耗小、絕緣電阻大、溫度系數(shù)小，適用于高頻電路。
云母電容器
云母電容器的介質為云母片，電極有金屬箔式的和金屬膜式的。早先的云母電容器是由金屬箔或在云母片表面上噴銀構成電極，再按需要的容量將它們一層一層疊合后（層數(shù)越多電容就越大），再壓鑄在膠木粉或用環(huán)氧樹脂封固制成，如圖1-49所示。目前大多在云母介質上覆一層銀電極，芯子結構是裝疊而成的，然后再裝入外殼封裝而構成電容器。外殼有陶瓷外殼、金屬外殼及塑料外殼，常用的為塑料外殼。
圖1-49云母電容器結構及外形
云母電容器通常的容值范圍為lpF～0.1V,F，額定電壓為100～2500V直流電壓。其特點是介質損耗小、絕緣電阻大、溫度系數(shù)小，適用于高頻電路。
獨石電容器是多層陶瓷電容器PMBFJ309的別稱，它是在若干片陶瓷薄坯上覆以電極材料涂層．疊合后經低溫燒結成一個整體，然后再用樹脂膠封裝而成，如圖1-48所示。獨石電容包括多層陶瓷電容器（片式）、圓片陶瓷電容器（引腳式獨石電容比一般的高頻瓷介電容要鼓一點，也就是一般的高頻小瓷片電容比它要扁一點）等，由于元器件小型化、貼片化的飛速發(fā)展，常規(guī)圓片陶瓷電容器逐步被多層陶瓷電容器取代，人們把多層陶瓷電容器簡稱為獨石電容器或貼片電容器。
云母電容器
云母電容器的介質為云母片，電極有金屬箔式的和金屬膜式的。早先的云母電容器是由金屬箔或在云母片表面上噴銀構成電極，再按需要的容量將它們一層一層疊合后（層數(shù)越多電容就越大），再壓鑄在膠木粉或用環(huán)氧樹脂封固制成，如圖1-49所示。目前大多在云母介質上覆一層銀電極，芯子結構是裝疊而成的，然后再裝入外殼封裝而構成電容器。外殼有陶瓷外殼、金屬外殼及塑料外殼，常用的為塑料外殼。
圖1-49云母電容器結構及外形
云母電容器通常的容值范圍為lpF～0.1V,F，額定電壓為100～2500V直流電壓。其特點是介質損耗小、絕緣電阻大、溫度系數(shù)小，適用于高頻電路。
云母電容器
云母電容器的介質為云母片，電極有金屬箔式的和金屬膜式的。早先的云母電容器是由金屬箔或在云母片表面上噴銀構成電極，再按需要的容量將它們一層一層疊合后（層數(shù)越多電容就越大），再壓鑄在膠木粉或用環(huán)氧樹脂封固制成，如圖1-49所示。目前大多在云母介質上覆一層銀電極，芯子結構是裝疊而成的，然后再裝入外殼封裝而構成電容器。外殼有陶瓷外殼、金屬外殼及塑料外殼，常用的為塑料外殼。
圖1-49云母電容器結構及外形
云母電容器通常的容值范圍為lpF～0.1V,F，額定電壓為100～2500V直流電壓。其特點是介質損耗小、絕緣電阻大、溫度系數(shù)小，適用于高頻電路。
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