普通晶閘管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
發(fā)布時(shí)間:2013/5/23 20:13:35 訪問次數(shù):3783
普通晶閘管的結(jié)構(gòu)見圖6-2,可以看出,它是一個(gè)具有3個(gè)PN結(jié)的4層三E2E-X10D1-Z端半導(dǎo)體器件。由最外面一層的P型材料引出 G一個(gè)電極作為陽極A。由最外面一層的N型材料引出一個(gè)電極作為陰極K。中間的P型材料引出一個(gè)電極作為控制極G。4層半導(dǎo)體之間分別形成3個(gè)PN結(jié),分別是Jl、J2和J3,見圖6-2 (a)。
晶閘管導(dǎo)通的工作原理可以用雙晶體管模型來解釋,晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理如圖6-3所示。如在器件上取一傾斜的截面,則晶閘管可以看作由PINIP2和NIP2N2構(gòu)成的兩個(gè)晶體管VT1、VT2組合而成。如果外電路向門極注入電流,G,也就是注入驅(qū)動(dòng)電流,則%流入晶體管VT2的基極,即產(chǎn)生集電極電流/C2,它構(gòu)成晶體管VT1的基極電流,進(jìn)而放大成集電極電流,又進(jìn)一步增大VT2的基極電流,如此形成強(qiáng)烈的正反饋,最后VT1和VT2進(jìn)入完全飽和狀態(tài),即晶閘管導(dǎo)通。此時(shí)如果撤掉外電路注入門極的電流氣,晶閘管內(nèi)部形成的強(qiáng)烈正反饋仍然會(huì)維持其導(dǎo)通扶態(tài)。而要使其關(guān)斷,就必須去掉陽極所加的正電壓,或者給陽極施加反壓,或者設(shè)法使流過晶閘管的電流降低到接近于零的某一數(shù)值以下,晶閘管才能關(guān)斷。所以,對(duì)晶閘管的驅(qū)動(dòng)過程更多的是稱為觸發(fā),產(chǎn)生注入門極觸發(fā)電流毛的電路稱為門極觸發(fā)電路。也正是由于通過門極只能控制其開通,不能控制其關(guān)斷,晶閘管才被稱為半控型器件。
普通晶閘管的結(jié)構(gòu)見圖6-2,可以看出,它是一個(gè)具有3個(gè)PN結(jié)的4層三E2E-X10D1-Z端半導(dǎo)體器件。由最外面一層的P型材料引出 G一個(gè)電極作為陽極A。由最外面一層的N型材料引出一個(gè)電極作為陰極K。中間的P型材料引出一個(gè)電極作為控制極G。4層半導(dǎo)體之間分別形成3個(gè)PN結(jié),分別是Jl、J2和J3,見圖6-2 (a)。
晶閘管導(dǎo)通的工作原理可以用雙晶體管模型來解釋,晶閘管的雙晶體管模型及其工作原理如圖6-3所示。如在器件上取一傾斜的截面,則晶閘管可以看作由PINIP2和NIP2N2構(gòu)成的兩個(gè)晶體管VT1、VT2組合而成。如果外電路向門極注入電流,G,也就是注入驅(qū)動(dòng)電流,則%流入晶體管VT2的基極,即產(chǎn)生集電極電流/C2,它構(gòu)成晶體管VT1的基極電流,進(jìn)而放大成集電極電流,又進(jìn)一步增大VT2的基極電流,如此形成強(qiáng)烈的正反饋,最后VT1和VT2進(jìn)入完全飽和狀態(tài),即晶閘管導(dǎo)通。此時(shí)如果撤掉外電路注入門極的電流氣,晶閘管內(nèi)部形成的強(qiáng)烈正反饋仍然會(huì)維持其導(dǎo)通扶態(tài)。而要使其關(guān)斷,就必須去掉陽極所加的正電壓,或者給陽極施加反壓,或者設(shè)法使流過晶閘管的電流降低到接近于零的某一數(shù)值以下,晶閘管才能關(guān)斷。所以,對(duì)晶閘管的驅(qū)動(dòng)過程更多的是稱為觸發(fā),產(chǎn)生注入門極觸發(fā)電流毛的電路稱為門極觸發(fā)電路。也正是由于通過門極只能控制其開通,不能控制其關(guān)斷,晶閘管才被稱為半控型器件。
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