逆導(dǎo)晶閘管(RCT，Reverse Conducting Thyristor)足將一個(gè)E6B2-CWZ6C晶閘管和一個(gè)二極管反并聯(lián)集成在同一硅片上而構(gòu)成的組合型器件。而組合的結(jié)果又使它成為頗具特色的快速型器件�？梢哉J(rèn)為它是一種在反方向也能通過和正方向一樣的大電流的開關(guān)器件。它屬于不對(duì)稱晶閘管，目前是不對(duì)稱晶閘管中的主體和核心。
    由于它的芯片可以看做簡(jiǎn)單的大功率集成電路塊。因此，相對(duì)于兩只分立的晶閘管和二極管的反并聯(lián)連接，它具有體積小、高溫特性好、有利于大電流化和高電壓化、有利于高額應(yīng)用等優(yōu)點(diǎn)。主要應(yīng)用于直流斬波器、倍頻式中頻電源及三相逆變器等。
    基本結(jié)構(gòu)及伏安特性
    圖6-86所示為RCT的基本結(jié)構(gòu)、等效電路及伏安特性。如圖6-86 (a)所示，逆導(dǎo)晶閘管的芯片是由晶閘管區(qū)和二極管區(qū)成的。在晶閘管區(qū)內(nèi)，除采用陰極發(fā)射極短路結(jié)構(gòu)外，還設(shè)置了陽極發(fā)射極短路結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，使它的特性既不同于二極管，也不同于一般的晶閘管。圖6-86 (b)所示為其結(jié)構(gòu)的等效電路。如圖6-86 (c)所示，其正向伏安特性曲線和普通晶管完全一樣，能承受很高的耐壓，而且受門極控制。在G-K間施加門極觸發(fā)信號(hào)后，器件由正向阻斷狀態(tài)向正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換。反向伏安特性曲線與二極管的正向伏安特性曲線相同，不能承受電壓，能通過大電流。這樣，逆導(dǎo)晶閘管就是在同一硅片上由兩個(gè)具有完全獨(dú)立功能的器件組成的復(fù)合器件。

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