電力晶體管從結(jié)構(gòu)上可分為單管、達(dá)林頓E6B2-CWZ6C 200P/R管和模塊三大系列。
    1．單管GTR
    NPN三重擴(kuò)散臺面型結(jié)構(gòu)是單管GIR的典型結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)可靠性高，能改善器件的二次擊穿特性，易于提高耐壓能力，并且易于耗散內(nèi)部熱量。GIR是用基極電流控制集電極電流的電流型控制器件，r.r漂移層的電阻率和厚度決定器件的阻斷能力，電阻率高、厚度大則可使阻斷能力提高。但卻導(dǎo)致導(dǎo)通飽和電阻的增大和電流增益的降低。一般單管GIR的電流增益都很低，約10～20。

            
    2．達(dá)林頓GTR
    達(dá)林頓GTR由兩個或多個晶體管復(fù)合而成，可以是NPN型也可以是PNP型，萁性質(zhì)由驅(qū)動管來決定。圖7-3 (a)為兩個NPN管組成的達(dá)林頓GTR，其性質(zhì)是NPN型；圖7-3 (b)為由PNP和NPN晶體管組成的達(dá)林頓GTR，其性質(zhì)為PNP型。圖7-3 (c)為實用的達(dá)林頓電路。

           
    3．GTR模塊
    目前作為大功率開關(guān)應(yīng)用最多的還是GTR模塊，它將GTR管芯、穩(wěn)定電阻、加速二極管以及續(xù)流二極管等組成一個單元，然后根據(jù)不同用途將幾個單元電路組裝在一個外殼之內(nèi)構(gòu)成模塊�，F(xiàn)在已可將上述單元電路集成制作在同一硅片上，大大提高器件的集成度，使其小型輕量化，性能／價格比大大提高。圖7-4示出了由兩個三級達(dá)林頓GTR及其輔助元器件構(gòu)成的單臂橋式電路模塊的等效電路。為了便于改善器件的開關(guān)過程和并聯(lián)使用，中間級晶體管的基極均有引線引出，如圖中bcll、bc12等端子。目前生產(chǎn)的GTR模塊可將多達(dá)6個互相絕緣的單元電路做在同一模塊內(nèi)，可很方便地組成三相橋。

http://rhkj.51dzw.com/