靜態(tài)特性與參數(shù)
發(fā)布時間:2013/5/27 20:04:15 訪問次數(shù):1188
共射極電路的輸出特性是指集電結(jié)E6B2-CWZ6C 360P/R的電壓一電流特性,如圖7-5所示。圖中將GTR的工作狀態(tài)分為4個明顯不同的區(qū)域:阻斷區(qū)、線性區(qū)、準飽和區(qū)和深飽和區(qū)。阻斷區(qū)又稱為截止區(qū),其特征類似于開關(guān)處于斷態(tài)的情況,該區(qū)對于基極電流厶為零的條件,GTR承受高電壓而僅有極小的漏電流存在。在這一區(qū)域發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置狀態(tài)。線性區(qū)又稱為放大區(qū),晶體管工作在這一區(qū)域時,集電極電流與基極電流間呈線性關(guān)系,特性曲線近似平直。該區(qū)的特點是集電結(jié)仍處于反向偏置而發(fā)射結(jié)改為正向偏置狀態(tài),對工作于開關(guān)狀態(tài)的GTR來說,應當盡量避免工作于線性區(qū),否則功耗將會很大。深飽和區(qū)的特征類似于開關(guān)處于接通的情況,在這一區(qū)域中基極電流變化時集電極電流不再隨之變化,電流增益與導通電壓均很小。工作于這一區(qū)域的GTR其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置狀態(tài)。準飽和區(qū)是指線性區(qū)與深飽和區(qū)之間的一段區(qū)域,即特性曲線明顯彎曲的部分,在此區(qū)域中隨著基極屯流的增加開始出現(xiàn)基區(qū)寬度調(diào)制效應,電流增益開始下降,集電極電流與基極電流之間不再呈線性關(guān)系,但仍保持著集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置的特點。
2.飽和壓降特性
處于深飽和區(qū)的GTR集電極電壓稱作飽和壓降,用Ue表示。此時的基射極電壓稱作基極正向壓降,用Ub。表示。它們是大功率應用中的兩項重要指標,直接關(guān)系到器件的導通功率損耗。
飽和壓降Uce一般隨著集電極電流的增加而增加,在I不變的情況下,Ue。隨殼溫的增加而增加。
基極正向壓降bes也是隨著集電極電流的增加而增加,但與溫度的關(guān)系要復雜一些。在小電流情況下,溫度增加時Ub。。減。辉诖箅娏髑闆r下,溫度增加時Ube。增大。
達林頓結(jié)構(gòu)的GTR不可能進入深飽和區(qū),因而飽和壓降也較大。
3.共射極電流增益∥
共射極電流增益∥是指共射極電路中GTR集電極電流t與基極電流厶的比值,它表示GTR的電流放大能力。
在正向偏置情況小電流條件下,∥隨集電極電流t減小而減小;在中間電流范圍內(nèi),∥值隨溫度的增加而增加;在大電流情況下∥值隨溫度的增加而減小;在管殼溫度te和集電極電流t相同的條件下,正向電流增益∥隨集電極電壓Ue。的增加而增加。
GTR在反向接法時.由于把原來的集電區(qū)作為發(fā)射區(qū)使用,其摻雜濃度低,注入能力很小,因此反向電流增益歷艮小。
共射極電路的輸出特性是指集電結(jié)E6B2-CWZ6C 360P/R的電壓一電流特性,如圖7-5所示。圖中將GTR的工作狀態(tài)分為4個明顯不同的區(qū)域:阻斷區(qū)、線性區(qū)、準飽和區(qū)和深飽和區(qū)。阻斷區(qū)又稱為截止區(qū),其特征類似于開關(guān)處于斷態(tài)的情況,該區(qū)對于基極電流厶為零的條件,GTR承受高電壓而僅有極小的漏電流存在。在這一區(qū)域發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于反向偏置狀態(tài)。線性區(qū)又稱為放大區(qū),晶體管工作在這一區(qū)域時,集電極電流與基極電流間呈線性關(guān)系,特性曲線近似平直。該區(qū)的特點是集電結(jié)仍處于反向偏置而發(fā)射結(jié)改為正向偏置狀態(tài),對工作于開關(guān)狀態(tài)的GTR來說,應當盡量避免工作于線性區(qū),否則功耗將會很大。深飽和區(qū)的特征類似于開關(guān)處于接通的情況,在這一區(qū)域中基極電流變化時集電極電流不再隨之變化,電流增益與導通電壓均很小。工作于這一區(qū)域的GTR其發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均處于正向偏置狀態(tài)。準飽和區(qū)是指線性區(qū)與深飽和區(qū)之間的一段區(qū)域,即特性曲線明顯彎曲的部分,在此區(qū)域中隨著基極屯流的增加開始出現(xiàn)基區(qū)寬度調(diào)制效應,電流增益開始下降,集電極電流與基極電流之間不再呈線性關(guān)系,但仍保持著集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置的特點。
2.飽和壓降特性
處于深飽和區(qū)的GTR集電極電壓稱作飽和壓降,用Ue表示。此時的基射極電壓稱作基極正向壓降,用Ub。表示。它們是大功率應用中的兩項重要指標,直接關(guān)系到器件的導通功率損耗。
飽和壓降Uce一般隨著集電極電流的增加而增加,在I不變的情況下,Ue。隨殼溫的增加而增加。
基極正向壓降bes也是隨著集電極電流的增加而增加,但與溫度的關(guān)系要復雜一些。在小電流情況下,溫度增加時Ub。。減;在大電流情況下,溫度增加時Ube。增大。
達林頓結(jié)構(gòu)的GTR不可能進入深飽和區(qū),因而飽和壓降也較大。
3.共射極電流增益∥
共射極電流增益∥是指共射極電路中GTR集電極電流t與基極電流厶的比值,它表示GTR的電流放大能力。
在正向偏置情況小電流條件下,∥隨集電極電流t減小而減;在中間電流范圍內(nèi),∥值隨溫度的增加而增加;在大電流情況下∥值隨溫度的增加而減。辉诠軞囟萾e和集電極電流t相同的條件下,正向電流增益∥隨集電極電壓Ue。的增加而增加。
GTR在反向接法時.由于把原來的集電區(qū)作為發(fā)射區(qū)使用,其摻雜濃度低,注入能力很小,因此反向電流增益歷艮小。
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