溫度特性與散熱
發(fā)布時(shí)間:2013/5/27 20:17:53 訪問次數(shù):878
半導(dǎo)體器件的共同缺點(diǎn)是E6C2-AB5C其特性參數(shù)受溫度影響大,除了前述若干特性隨著溫度升高而變差外,由于溫度升高將使Ue。。升高,L也將增大,輸出功率下降,最大允許功耗和二次擊穿觸發(fā)功率均要下降,結(jié)果使電力晶體管GTR的安全工作區(qū)面積縮小。必須采取有效散熱措施,選配適當(dāng)?shù)纳崞,裉?jù)容量等級(jí)采用自然冷卻、風(fēng)冷或沸騰冷卻方式,確保GTR不超過規(guī)定的結(jié)溫最大值。
熱損壞由結(jié)溫過高所致,結(jié)溫升高由發(fā)熱引起,發(fā)熱量則由功耗轉(zhuǎn)變而來。因此,若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關(guān)條件下工作的GTR,其功耗由靜態(tài)導(dǎo)通功耗、動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和基極驅(qū)動(dòng)功耗三部分組成。設(shè)法降低導(dǎo)通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關(guān)軌跡等均可達(dá)到減小GTR功耗的目的。
恒流驅(qū)動(dòng)電路
“恒流驅(qū)動(dòng)”是指GTR的基極電流保持恒定,不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負(fù)載情況下都能處于飽和導(dǎo)通,所需的基極電流厶應(yīng)按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以,恒流驅(qū)動(dòng)使空載或空載時(shí)飽和深度加劇,存儲(chǔ)時(shí)間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施,并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路,其基本形式如圖7-9所示,其目的是將多余的基極電流從集電極引出,使GTR在不同集電極電流情況下都處于準(zhǔn)飽和狀態(tài),使集電結(jié)處于零偏置或輕微正向偏置的狀態(tài)。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管,VD3為反向基流提供回路。輕載時(shí),當(dāng)GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時(shí),A點(diǎn)電位高于集電極電位,VD2導(dǎo)通,將《分流,使流過二極管VD1的基極電流厶減小,從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲(chǔ)時(shí)間,使在不同負(fù)載情況下及使用離散性較大的GTR時(shí)存儲(chǔ)時(shí)間趨向一致,但需增加二個(gè)二極管,鉗位二極管VD2必須是快速恢復(fù)二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當(dāng)。由于電路工作于準(zhǔn)飽和狀態(tài)正向壓降增加,增大了導(dǎo)通損耗。
熱損壞由結(jié)溫過高所致,結(jié)溫升高由發(fā)熱引起,發(fā)熱量則由功耗轉(zhuǎn)變而來。因此,若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關(guān)條件下工作的GTR,其功耗由靜態(tài)導(dǎo)通功耗、動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和基極驅(qū)動(dòng)功耗三部分組成。設(shè)法降低導(dǎo)通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關(guān)軌跡等均可達(dá)到減小GTR功耗的目的。
恒流驅(qū)動(dòng)電路
“恒流驅(qū)動(dòng)”是指GTR的基極電流保持恒定,不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負(fù)載情況下都能處于飽和導(dǎo)通,所需的基極電流厶應(yīng)按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以,恒流驅(qū)動(dòng)使空載或空載時(shí)飽和深度加劇,存儲(chǔ)時(shí)間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施,并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路,其基本形式如圖7-9所示,其目的是將多余的基極電流從集電極引出,使GTR在不同集電極電流情況下都處于準(zhǔn)飽和狀態(tài),使集電結(jié)處于零偏置或輕微正向偏置的狀態(tài)。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管,VD3為反向基流提供回路。輕載時(shí),當(dāng)GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時(shí),A點(diǎn)電位高于集電極電位,VD2導(dǎo)通,將《分流,使流過二極管VD1的基極電流厶減小,從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲(chǔ)時(shí)間,使在不同負(fù)載情況下及使用離散性較大的GTR時(shí)存儲(chǔ)時(shí)間趨向一致,但需增加二個(gè)二極管,鉗位二極管VD2必須是快速恢復(fù)二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當(dāng)。由于電路工作于準(zhǔn)飽和狀態(tài)正向壓降增加,增大了導(dǎo)通損耗。
半導(dǎo)體器件的共同缺點(diǎn)是E6C2-AB5C其特性參數(shù)受溫度影響大,除了前述若干特性隨著溫度升高而變差外,由于溫度升高將使Ue。。升高,L也將增大,輸出功率下降,最大允許功耗和二次擊穿觸發(fā)功率均要下降,結(jié)果使電力晶體管GTR的安全工作區(qū)面積縮小。必須采取有效散熱措施,選配適當(dāng)?shù)纳崞,裉?jù)容量等級(jí)采用自然冷卻、風(fēng)冷或沸騰冷卻方式,確保GTR不超過規(guī)定的結(jié)溫最大值。
熱損壞由結(jié)溫過高所致,結(jié)溫升高由發(fā)熱引起,發(fā)熱量則由功耗轉(zhuǎn)變而來。因此,若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關(guān)條件下工作的GTR,其功耗由靜態(tài)導(dǎo)通功耗、動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和基極驅(qū)動(dòng)功耗三部分組成。設(shè)法降低導(dǎo)通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關(guān)軌跡等均可達(dá)到減小GTR功耗的目的。
恒流驅(qū)動(dòng)電路
“恒流驅(qū)動(dòng)”是指GTR的基極電流保持恒定,不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負(fù)載情況下都能處于飽和導(dǎo)通,所需的基極電流厶應(yīng)按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以,恒流驅(qū)動(dòng)使空載或空載時(shí)飽和深度加劇,存儲(chǔ)時(shí)間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施,并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路,其基本形式如圖7-9所示,其目的是將多余的基極電流從集電極引出,使GTR在不同集電極電流情況下都處于準(zhǔn)飽和狀態(tài),使集電結(jié)處于零偏置或輕微正向偏置的狀態(tài)。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管,VD3為反向基流提供回路。輕載時(shí),當(dāng)GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時(shí),A點(diǎn)電位高于集電極電位,VD2導(dǎo)通,將《分流,使流過二極管VD1的基極電流厶減小,從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲(chǔ)時(shí)間,使在不同負(fù)載情況下及使用離散性較大的GTR時(shí)存儲(chǔ)時(shí)間趨向一致,但需增加二個(gè)二極管,鉗位二極管VD2必須是快速恢復(fù)二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當(dāng)。由于電路工作于準(zhǔn)飽和狀態(tài)正向壓降增加,增大了導(dǎo)通損耗。
熱損壞由結(jié)溫過高所致,結(jié)溫升高由發(fā)熱引起,發(fā)熱量則由功耗轉(zhuǎn)變而來。因此,若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關(guān)條件下工作的GTR,其功耗由靜態(tài)導(dǎo)通功耗、動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和基極驅(qū)動(dòng)功耗三部分組成。設(shè)法降低導(dǎo)通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關(guān)軌跡等均可達(dá)到減小GTR功耗的目的。
恒流驅(qū)動(dòng)電路
“恒流驅(qū)動(dòng)”是指GTR的基極電流保持恒定,不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負(fù)載情況下都能處于飽和導(dǎo)通,所需的基極電流厶應(yīng)按GTR最大可能通過的集電極電流。
所以,恒流驅(qū)動(dòng)使空載或空載時(shí)飽和深度加劇,存儲(chǔ)時(shí)間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施,并由此演繹出兩種不同類型。
(1)抗飽和電路。
抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路,其基本形式如圖7-9所示,其目的是將多余的基極電流從集電極引出,使GTR在不同集電極電流情況下都處于準(zhǔn)飽和狀態(tài),使集電結(jié)處于零偏置或輕微正向偏置的狀態(tài)。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管,VD3為反向基流提供回路。輕載時(shí),當(dāng)GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時(shí),A點(diǎn)電位高于集電極電位,VD2導(dǎo)通,將《分流,使流過二極管VD1的基極電流厶減小,從而減小了GTR昀飽和深度。
抗飽和電路可以縮短存儲(chǔ)時(shí)間,使在不同負(fù)載情況下及使用離散性較大的GTR時(shí)存儲(chǔ)時(shí)間趨向一致,但需增加二個(gè)二極管,鉗位二極管VD2必須是快速恢復(fù)二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當(dāng)。由于電路工作于準(zhǔn)飽和狀態(tài)正向壓降增加,增大了導(dǎo)通損耗。
上一篇:電力晶體管安全工作區(qū)
熱門點(diǎn)擊
- CD40106六施密特觸發(fā)器應(yīng)用電路舉例
- 三相橋式全控整流電路波形
- CD40194 4位雙向通用移位寄存器集成電
- ICL7106 3{位AlD轉(zhuǎn)換器的特性及引
- 雙向晶閘管與普通晶閘管不同的參數(shù)
- 電感器的常見故障
- 單相半橋式逆變電路
- 延時(shí)開關(guān)電源插座
- 用正負(fù)極性集成輸出集成穩(wěn)壓
- 數(shù)字lC密碼鎖
推薦技術(shù)資料
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和
- 循線機(jī)器人是機(jī)器人入門和比賽最常用的控制方式,E48S... [詳細(xì)]
- CV/CC InnoSwitch3-AQ 開
- URF1DxxM-60WR3系
- 1-6W URA24xxN-x
- 閉環(huán)磁通門信號(hào)調(diào)節(jié)芯片NSDRV401
- SK-RiSC-SOM-H27X-V1.1應(yīng)
- RISC技術(shù)8位微控制器參數(shù)設(shè)
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究