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溫度特性與散熱

發(fā)布時(shí)間:2013/5/27 20:17:53 訪問次數(shù):878

    半導(dǎo)體器件的共同缺點(diǎn)是E6C2-AB5C其特性參數(shù)受溫度影響大,除了前述若干特性隨著溫度升高而變差外,由于溫度升高將使Ue。。升高,L也將增大,輸出功率下降,最大允許功耗和二次擊穿觸發(fā)功率均要下降,結(jié)果使電力晶體管GTR的安全工作區(qū)面積縮小。必須采取有效散熱措施,選配適當(dāng)?shù)纳崞,裉?jù)容量等級(jí)采用自然冷卻、風(fēng)冷或沸騰冷卻方式,確保GTR不超過規(guī)定的結(jié)溫最大值。
    熱損壞由結(jié)溫過高所致,結(jié)溫升高由發(fā)熱引起,發(fā)熱量則由功耗轉(zhuǎn)變而來。因此,若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關(guān)條件下工作的GTR,其功耗由靜態(tài)導(dǎo)通功耗、動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和基極驅(qū)動(dòng)功耗三部分組成。設(shè)法降低導(dǎo)通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關(guān)軌跡等均可達(dá)到減小GTR功耗的目的。
   恒流驅(qū)動(dòng)電路
  “恒流驅(qū)動(dòng)”是指GTR的基極電流保持恒定,不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負(fù)載情況下都能處于飽和導(dǎo)通,所需的基極電流厶應(yīng)按GTR最大可能通過的集電極電流。
    所以,恒流驅(qū)動(dòng)使空載或空載時(shí)飽和深度加劇,存儲(chǔ)時(shí)間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施,并由此演繹出兩種不同類型。
    (1)抗飽和電路。
    抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路,其基本形式如圖7-9所示,其目的是將多余的基極電流從集電極引出,使GTR在不同集電極電流情況下都處于準(zhǔn)飽和狀態(tài),使集電結(jié)處于零偏置或輕微正向偏置的狀態(tài)。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管,VD3為反向基流提供回路。輕載時(shí),當(dāng)GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時(shí),A點(diǎn)電位高于集電極電位,VD2導(dǎo)通,將《分流,使流過二極管VD1的基極電流厶減小,從而減小了GTR昀飽和深度。
    抗飽和電路可以縮短存儲(chǔ)時(shí)間,使在不同負(fù)載情況下及使用離散性較大的GTR時(shí)存儲(chǔ)時(shí)間趨向一致,但需增加二個(gè)二極管,鉗位二極管VD2必須是快速恢復(fù)二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當(dāng)。由于電路工作于準(zhǔn)飽和狀態(tài)正向壓降增加,增大了導(dǎo)通損耗。
    半導(dǎo)體器件的共同缺點(diǎn)是E6C2-AB5C其特性參數(shù)受溫度影響大,除了前述若干特性隨著溫度升高而變差外,由于溫度升高將使Ue。。升高,L也將增大,輸出功率下降,最大允許功耗和二次擊穿觸發(fā)功率均要下降,結(jié)果使電力晶體管GTR的安全工作區(qū)面積縮小。必須采取有效散熱措施,選配適當(dāng)?shù)纳崞,裉?jù)容量等級(jí)采用自然冷卻、風(fēng)冷或沸騰冷卻方式,確保GTR不超過規(guī)定的結(jié)溫最大值。
    熱損壞由結(jié)溫過高所致,結(jié)溫升高由發(fā)熱引起,發(fā)熱量則由功耗轉(zhuǎn)變而來。因此,若能從根本上減小GTR的功耗就可確保其安全可靠地工作。在高頻大功率開關(guān)條件下工作的GTR,其功耗由靜態(tài)導(dǎo)通功耗、動(dòng)態(tài)開關(guān)損耗和基極驅(qū)動(dòng)功耗三部分組成。設(shè)法降低導(dǎo)通電壓、采用各種緩沖電路改變GTR的開關(guān)軌跡等均可達(dá)到減小GTR功耗的目的。
   恒流驅(qū)動(dòng)電路
  “恒流驅(qū)動(dòng)”是指GTR的基極電流保持恒定,不隨集電極電流變化而變化。為了保證GTR在任何負(fù)載情況下都能處于飽和導(dǎo)通,所需的基極電流厶應(yīng)按GTR最大可能通過的集電極電流。
    所以,恒流驅(qū)動(dòng)使空載或空載時(shí)飽和深度加劇,存儲(chǔ)時(shí)間大。為了克服上述弊端常采用其他
輔助措施,并由此演繹出兩種不同類型。
    (1)抗飽和電路。
    抗飽和電路亦稱貝克鉗位電路,其基本形式如圖7-9所示,其目的是將多余的基極電流從集電極引出,使GTR在不同集電極電流情況下都處于準(zhǔn)飽和狀態(tài),使集電結(jié)處于零偏置或輕微正向偏置的狀態(tài)。圖中VD1、VD2為抗飽和二極管,VD3為反向基流提供回路。輕載時(shí),當(dāng)GTR飽和深度加劇而使Ue。減小時(shí),A點(diǎn)電位高于集電極電位,VD2導(dǎo)通,將《分流,使流過二極管VD1的基極電流厶減小,從而減小了GTR昀飽和深度。
    抗飽和電路可以縮短存儲(chǔ)時(shí)間,使在不同負(fù)載情況下及使用離散性較大的GTR時(shí)存儲(chǔ)時(shí)間趨向一致,但需增加二個(gè)二極管,鉗位二極管VD2必須是快速恢復(fù)二極管且其耐壓必須和GTR的耐壓相當(dāng)。由于電路工作于準(zhǔn)飽和狀態(tài)正向壓降增加,增大了導(dǎo)通損耗。
相關(guān)技術(shù)資料
5-27溫度特性與散熱
相關(guān)IC型號(hào)
E6C2-AB5C
暫無最新型號(hào)

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