REF(引腳8):精密基準(zhǔn)電壓輸出端
發(fā)布時(shí)間:2013/6/4 20:37:41 訪問(wèn)次數(shù):2350
REF(引腳8):精密基準(zhǔn)電壓輸出端。該端可向G3NA-220B DC5-24外圍電路提供25mA的偏置電流，并具有內(nèi)置短路限流的功能。當(dāng)Vcc上的電壓低于欠電壓鎖定閾值且OVP上的電壓低于1.8V時(shí)，REF將停止輸出。為了提高電路的穩(wěn)定性，最好在該端與地之間接入一只容量至少為0.1心的陶瓷電容。
Vcc（引腳9）：偏置電壓輸入端。偏置電壓輸入端內(nèi)接20V齊納二極管，鉗位電流應(yīng)低于lOmA。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，該端應(yīng)外接一只l心的接地電容。為降低損耗，該電容應(yīng)是低ESR、低ESL的電容。UC3855A的開(kāi)通閾值電壓為15.5V，滯回電壓為6V;而UC3855B開(kāi)通閾值電壓為10.5V，滯回電壓為500mV。
GTOUT（引腳10）：柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端。該端可提供峰值達(dá)1.5A的驅(qū)動(dòng)電流。為限制該端過(guò)沖，在GTOUT引腳的升壓功率MOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)一個(gè)阻值至少為10Q的限流電阻。同時(shí)還需要在GTOUT引腳和地之間增加一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。
GND（引腳11）：信號(hào)地。所有的旁路電容及定時(shí)電容都直接與該端相連，實(shí)際布線時(shí)，應(yīng)保證引線可能的短。
ZVTOUT（引腳12）：ZVT電路輸出端。ZVT電路的輸出級(jí)實(shí)陳上是圖騰柱式功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其峰值電流為750mA。由于ZVT MOSFET的額定參數(shù)只有升壓功率MOSFET的1/3，因此其峰值驅(qū)動(dòng)電流不需要太大。為限制該端過(guò)沖，在ZVTOUT引腳和ZVTMOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)接一只限流電阻。同時(shí)也需要在ZVTOUT引腳和地之間加入一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。另外，該端還可用作大電流同步輸出驅(qū)動(dòng)端。
ZVS（引腳13）：比較器輸入端。該端用于監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極電壓的過(guò)零狀態(tài)，當(dāng)漏極電壓接近OV時(shí)，ZVT鎖存器復(fù)位。ZVTOUT輸出脈沖信號(hào)的最大、最小寬度可由該端編程控制。為了直接監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極高達(dá)400V的電壓，需要在ZVS引腳和升壓功率MOSFET漏極之間接一個(gè)阻斷二極管。當(dāng)升壓功率MOSFET漏極電壓為零時(shí)，ZVS引腳上的電壓為0.7V，低于ZVT比較器的2.6V閾值電壓。ZVTOUT輸出脈沖的寬度近似等于振蕩器消隱周期的長(zhǎng)度。
CT（引腳14）：振蕩器定時(shí)電容接入端。PWM振蕩器的工作功率由該端的接地電容決定，CT的容量至少應(yīng)為200pF，且應(yīng)當(dāng)選周高質(zhì)量、低ESR、低ESL的陶瓷電容，以避免電路雜散參數(shù)的影響。振蕩器和PWM電路的實(shí)際工作頻率可達(dá)500kHz。
UAOUT（引腳15）：電壓放大器輸出端。在給定的輸入電壓范圍內(nèi)，該端電壓將隨輸出負(fù)載的變化而變化，其變化范圍被限定在lOOmV～6V之間。當(dāng)引腳15上的電壓低于1.5V時(shí)，乘法器輸出信號(hào)被禁止。
USENSE（引腳16）：電壓檢測(cè)信號(hào)輸入端。該端是電壓放大器的反相輸入端，作為PFC升壓變化器輸出電壓的反饋端USENSE引腳通過(guò)電阻分壓器對(duì)輸出電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，生成標(biāo)稱(chēng)電壓為3V的電壓檢測(cè)信號(hào)。另外，電壓環(huán)路補(bǔ)償電路通常接在該端和UAOUT引腳間。為了保證電流合成器能夠正常工作，USENSE引腳的電壓在25℃時(shí)，應(yīng)保持在1.5V以上。
SS（引腳17）：軟啟動(dòng)電容接入端。該端能向外接軟啟動(dòng)電容提供1.5pA的電流。
IMO（引腳18）：乘法器輸出端。該端同時(shí)也是電流放大器的同相輸入端。由于該端輸出的信號(hào)為電流信號(hào)，因此在該端與地之間應(yīng)接接地電阻，其阻值與電流放大器輸入電阻阻值相同，該端的共模工作范圍為-0.3～5V。
Vcc（引腳9）：偏置電壓輸入端。偏置電壓輸入端內(nèi)接20V齊納二極管，鉗位電流應(yīng)低于lOmA。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，該端應(yīng)外接一只l心的接地電容。為降低損耗，該電容應(yīng)是低ESR、低ESL的電容。UC3855A的開(kāi)通閾值電壓為15.5V，滯回電壓為6V;而UC3855B開(kāi)通閾值電壓為10.5V，滯回電壓為500mV。
GTOUT（引腳10）：柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端。該端可提供峰值達(dá)1.5A的驅(qū)動(dòng)電流。為限制該端過(guò)沖，在GTOUT引腳的升壓功率MOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)一個(gè)阻值至少為10Q的限流電阻。同時(shí)還需要在GTOUT引腳和地之間增加一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。
GND（引腳11）：信號(hào)地。所有的旁路電容及定時(shí)電容都直接與該端相連，實(shí)際布線時(shí)，應(yīng)保證引線可能的短。
ZVTOUT（引腳12）：ZVT電路輸出端。ZVT電路的輸出級(jí)實(shí)陳上是圖騰柱式功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其峰值電流為750mA。由于ZVT MOSFET的額定參數(shù)只有升壓功率MOSFET的1/3，因此其峰值驅(qū)動(dòng)電流不需要太大。為限制該端過(guò)沖，在ZVTOUT引腳和ZVTMOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)接一只限流電阻。同時(shí)也需要在ZVTOUT引腳和地之間加入一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。另外，該端還可用作大電流同步輸出驅(qū)動(dòng)端。
ZVS（引腳13）：比較器輸入端。該端用于監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極電壓的過(guò)零狀態(tài)，當(dāng)漏極電壓接近OV時(shí)，ZVT鎖存器復(fù)位。ZVTOUT輸出脈沖信號(hào)的最大、最小寬度可由該端編程控制。為了直接監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極高達(dá)400V的電壓，需要在ZVS引腳和升壓功率MOSFET漏極之間接一個(gè)阻斷二極管。當(dāng)升壓功率MOSFET漏極電壓為零時(shí)，ZVS引腳上的電壓為0.7V，低于ZVT比較器的2.6V閾值電壓。ZVTOUT輸出脈沖的寬度近似等于振蕩器消隱周期的長(zhǎng)度。
CT（引腳14）：振蕩器定時(shí)電容接入端。PWM振蕩器的工作功率由該端的接地電容決定，CT的容量至少應(yīng)為200pF，且應(yīng)當(dāng)選周高質(zhì)量、低ESR、低ESL的陶瓷電容，以避免電路雜散參數(shù)的影響。振蕩器和PWM電路的實(shí)際工作頻率可達(dá)500kHz。
UAOUT（引腳15）：電壓放大器輸出端。在給定的輸入電壓范圍內(nèi)，該端電壓將隨輸出負(fù)載的變化而變化，其變化范圍被限定在lOOmV～6V之間。當(dāng)引腳15上的電壓低于1.5V時(shí)，乘法器輸出信號(hào)被禁止。
USENSE（引腳16）：電壓檢測(cè)信號(hào)輸入端。該端是電壓放大器的反相輸入端，作為PFC升壓變化器輸出電壓的反饋端USENSE引腳通過(guò)電阻分壓器對(duì)輸出電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，生成標(biāo)稱(chēng)電壓為3V的電壓檢測(cè)信號(hào)。另外，電壓環(huán)路補(bǔ)償電路通常接在該端和UAOUT引腳間。為了保證電流合成器能夠正常工作，USENSE引腳的電壓在25℃時(shí)，應(yīng)保持在1.5V以上。
SS（引腳17）：軟啟動(dòng)電容接入端。該端能向外接軟啟動(dòng)電容提供1.5pA的電流。
IMO（引腳18）：乘法器輸出端。該端同時(shí)也是電流放大器的同相輸入端。由于該端輸出的信號(hào)為電流信號(hào)，因此在該端與地之間應(yīng)接接地電阻，其阻值與電流放大器輸入電阻阻值相同，該端的共模工作范圍為-0.3～5V。
REF(引腳8):精密基準(zhǔn)電壓輸出端。該端可向G3NA-220B DC5-24外圍電路提供25mA的偏置電流，并具有內(nèi)置短路限流的功能。當(dāng)Vcc上的電壓低于欠電壓鎖定閾值且OVP上的電壓低于1.8V時(shí)，REF將停止輸出。為了提高電路的穩(wěn)定性，最好在該端與地之間接入一只容量至少為0.1心的陶瓷電容。
Vcc（引腳9）：偏置電壓輸入端。偏置電壓輸入端內(nèi)接20V齊納二極管，鉗位電流應(yīng)低于lOmA。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，該端應(yīng)外接一只l心的接地電容。為降低損耗，該電容應(yīng)是低ESR、低ESL的電容。UC3855A的開(kāi)通閾值電壓為15.5V，滯回電壓為6V;而UC3855B開(kāi)通閾值電壓為10.5V，滯回電壓為500mV。
GTOUT（引腳10）：柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端。該端可提供峰值達(dá)1.5A的驅(qū)動(dòng)電流。為限制該端過(guò)沖，在GTOUT引腳的升壓功率MOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)一個(gè)阻值至少為10Q的限流電阻。同時(shí)還需要在GTOUT引腳和地之間增加一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。
GND（引腳11）：信號(hào)地。所有的旁路電容及定時(shí)電容都直接與該端相連，實(shí)際布線時(shí)，應(yīng)保證引線可能的短。
ZVTOUT（引腳12）：ZVT電路輸出端。ZVT電路的輸出級(jí)實(shí)陳上是圖騰柱式功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其峰值電流為750mA。由于ZVT MOSFET的額定參數(shù)只有升壓功率MOSFET的1/3，因此其峰值驅(qū)動(dòng)電流不需要太大。為限制該端過(guò)沖，在ZVTOUT引腳和ZVTMOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)接一只限流電阻。同時(shí)也需要在ZVTOUT引腳和地之間加入一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。另外，該端還可用作大電流同步輸出驅(qū)動(dòng)端。
ZVS（引腳13）：比較器輸入端。該端用于監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極電壓的過(guò)零狀態(tài)，當(dāng)漏極電壓接近OV時(shí)，ZVT鎖存器復(fù)位。ZVTOUT輸出脈沖信號(hào)的最大、最小寬度可由該端編程控制。為了直接監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極高達(dá)400V的電壓，需要在ZVS引腳和升壓功率MOSFET漏極之間接一個(gè)阻斷二極管。當(dāng)升壓功率MOSFET漏極電壓為零時(shí)，ZVS引腳上的電壓為0.7V，低于ZVT比較器的2.6V閾值電壓。ZVTOUT輸出脈沖的寬度近似等于振蕩器消隱周期的長(zhǎng)度。
CT（引腳14）：振蕩器定時(shí)電容接入端。PWM振蕩器的工作功率由該端的接地電容決定，CT的容量至少應(yīng)為200pF，且應(yīng)當(dāng)選周高質(zhì)量、低ESR、低ESL的陶瓷電容，以避免電路雜散參數(shù)的影響。振蕩器和PWM電路的實(shí)際工作頻率可達(dá)500kHz。
UAOUT（引腳15）：電壓放大器輸出端。在給定的輸入電壓范圍內(nèi)，該端電壓將隨輸出負(fù)載的變化而變化，其變化范圍被限定在lOOmV～6V之間。當(dāng)引腳15上的電壓低于1.5V時(shí)，乘法器輸出信號(hào)被禁止。
USENSE（引腳16）：電壓檢測(cè)信號(hào)輸入端。該端是電壓放大器的反相輸入端，作為PFC升壓變化器輸出電壓的反饋端USENSE引腳通過(guò)電阻分壓器對(duì)輸出電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，生成標(biāo)稱(chēng)電壓為3V的電壓檢測(cè)信號(hào)。另外，電壓環(huán)路補(bǔ)償電路通常接在該端和UAOUT引腳間。為了保證電流合成器能夠正常工作，USENSE引腳的電壓在25℃時(shí)，應(yīng)保持在1.5V以上。
SS（引腳17）：軟啟動(dòng)電容接入端。該端能向外接軟啟動(dòng)電容提供1.5pA的電流。
IMO（引腳18）：乘法器輸出端。該端同時(shí)也是電流放大器的同相輸入端。由于該端輸出的信號(hào)為電流信號(hào)，因此在該端與地之間應(yīng)接接地電阻，其阻值與電流放大器輸入電阻阻值相同，該端的共模工作范圍為-0.3～5V。
Vcc（引腳9）：偏置電壓輸入端。偏置電壓輸入端內(nèi)接20V齊納二極管，鉗位電流應(yīng)低于lOmA。在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，該端應(yīng)外接一只l心的接地電容。為降低損耗，該電容應(yīng)是低ESR、低ESL的電容。UC3855A的開(kāi)通閾值電壓為15.5V，滯回電壓為6V;而UC3855B開(kāi)通閾值電壓為10.5V，滯回電壓為500mV。
GTOUT（引腳10）：柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出端。該端可提供峰值達(dá)1.5A的驅(qū)動(dòng)電流。為限制該端過(guò)沖，在GTOUT引腳的升壓功率MOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)一個(gè)阻值至少為10Q的限流電阻。同時(shí)還需要在GTOUT引腳和地之間增加一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。
GND（引腳11）：信號(hào)地。所有的旁路電容及定時(shí)電容都直接與該端相連，實(shí)際布線時(shí)，應(yīng)保證引線可能的短。
ZVTOUT（引腳12）：ZVT電路輸出端。ZVT電路的輸出級(jí)實(shí)陳上是圖騰柱式功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路，其峰值電流為750mA。由于ZVT MOSFET的額定參數(shù)只有升壓功率MOSFET的1/3，因此其峰值驅(qū)動(dòng)電流不需要太大。為限制該端過(guò)沖，在ZVTOUT引腳和ZVTMOSFET柵極之間應(yīng)串聯(lián)接一只限流電阻。同時(shí)也需要在ZVTOUT引腳和地之間加入一只肖特基二極管，以減小輸出信號(hào)下沖，避免電路誤動(dòng)作。另外，該端還可用作大電流同步輸出驅(qū)動(dòng)端。
ZVS（引腳13）：比較器輸入端。該端用于監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極電壓的過(guò)零狀態(tài)，當(dāng)漏極電壓接近OV時(shí)，ZVT鎖存器復(fù)位。ZVTOUT輸出脈沖信號(hào)的最大、最小寬度可由該端編程控制。為了直接監(jiān)測(cè)升壓功率MOSFET漏極高達(dá)400V的電壓，需要在ZVS引腳和升壓功率MOSFET漏極之間接一個(gè)阻斷二極管。當(dāng)升壓功率MOSFET漏極電壓為零時(shí)，ZVS引腳上的電壓為0.7V，低于ZVT比較器的2.6V閾值電壓。ZVTOUT輸出脈沖的寬度近似等于振蕩器消隱周期的長(zhǎng)度。
CT（引腳14）：振蕩器定時(shí)電容接入端。PWM振蕩器的工作功率由該端的接地電容決定，CT的容量至少應(yīng)為200pF，且應(yīng)當(dāng)選周高質(zhì)量、低ESR、低ESL的陶瓷電容，以避免電路雜散參數(shù)的影響。振蕩器和PWM電路的實(shí)際工作頻率可達(dá)500kHz。
UAOUT（引腳15）：電壓放大器輸出端。在給定的輸入電壓范圍內(nèi)，該端電壓將隨輸出負(fù)載的變化而變化，其變化范圍被限定在lOOmV～6V之間。當(dāng)引腳15上的電壓低于1.5V時(shí)，乘法器輸出信號(hào)被禁止。
USENSE（引腳16）：電壓檢測(cè)信號(hào)輸入端。該端是電壓放大器的反相輸入端，作為PFC升壓變化器輸出電壓的反饋端USENSE引腳通過(guò)電阻分壓器對(duì)輸出電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè)，生成標(biāo)稱(chēng)電壓為3V的電壓檢測(cè)信號(hào)。另外，電壓環(huán)路補(bǔ)償電路通常接在該端和UAOUT引腳間。為了保證電流合成器能夠正常工作，USENSE引腳的電壓在25℃時(shí)，應(yīng)保持在1.5V以上。
SS（引腳17）：軟啟動(dòng)電容接入端。該端能向外接軟啟動(dòng)電容提供1.5pA的電流。
IMO（引腳18）：乘法器輸出端。該端同時(shí)也是電流放大器的同相輸入端。由于該端輸出的信號(hào)為電流信號(hào)，因此在該端與地之間應(yīng)接接地電阻，其阻值與電流放大器輸入電阻阻值相同，該端的共模工作范圍為-0.3～5V。
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