回路內(nèi)有并聯(lián)連接的晶體管時的解析方法
發(fā)布時間:2013/6/13 14:51:15 訪問次數(shù):773
電流反射鏡電路是最基本的跨G6E-134P-5V導(dǎo)線性電路,所以應(yīng)用跨導(dǎo)線性原理能夠很簡單地解析輸入輸出關(guān)系。但是,像圖12. 16那樣,在有多個晶體管并聯(lián)連接、使電流比變化的電流反射鏡電路中,不能原封不動地應(yīng)用式(12.1)。
現(xiàn)在就討論電流比為1:2的電流反射鏡電路。如在第4章討論過的那樣,輸入輸出關(guān)系可寫為
IOUT一2IIN (12. 35)
圖12. 16以1:2的電流反射鏡電路為例,考查跨導(dǎo)線性回路中存在并聯(lián)連接的晶體管的情況下的解析方法
電路內(nèi)有兩個回路,也就是由Qi和Q2組成的回路1,以及由Ql和Q3組成的回路2,都適用跨導(dǎo)線性原理,所以這個關(guān)系式可以很容易地得到。但是,如果并聯(lián)連接的晶體管數(shù)目的增加,或者輸入一側(cè)也并聯(lián)化,都會在追尋回路時產(chǎn)生混亂。因此,需要把式(12.1)擴(kuò)展,使得能夠把并聯(lián)連接的晶體管作為一個晶體管進(jìn)行處理。
現(xiàn)在以圖1 2.17為例,來考慮發(fā)射區(qū)面積比的影響。這里,把發(fā)射區(qū)面積比考慮成晶體管的并聯(lián)數(shù)目。如果在電流反射鏡電路的輸入一側(cè)有Ai個晶體管并聯(lián)連接,那么輸入電流IIN就是各晶體管的集電極電流的A,倍。所以,如果輸人一側(cè)(左側(cè))的晶體管湊在一起作為合成晶體管QI.www.xluic.com
電流反射鏡電路是最基本的跨G6E-134P-5V導(dǎo)線性電路,所以應(yīng)用跨導(dǎo)線性原理能夠很簡單地解析輸入輸出關(guān)系。但是,像圖12. 16那樣,在有多個晶體管并聯(lián)連接、使電流比變化的電流反射鏡電路中,不能原封不動地應(yīng)用式(12.1)。
現(xiàn)在就討論電流比為1:2的電流反射鏡電路。如在第4章討論過的那樣,輸入輸出關(guān)系可寫為
IOUT一2IIN (12. 35)
圖12. 16以1:2的電流反射鏡電路為例,考查跨導(dǎo)線性回路中存在并聯(lián)連接的晶體管的情況下的解析方法
電路內(nèi)有兩個回路,也就是由Qi和Q2組成的回路1,以及由Ql和Q3組成的回路2,都適用跨導(dǎo)線性原理,所以這個關(guān)系式可以很容易地得到。但是,如果并聯(lián)連接的晶體管數(shù)目的增加,或者輸入一側(cè)也并聯(lián)化,都會在追尋回路時產(chǎn)生混亂。因此,需要把式(12.1)擴(kuò)展,使得能夠把并聯(lián)連接的晶體管作為一個晶體管進(jìn)行處理。
現(xiàn)在以圖1 2.17為例,來考慮發(fā)射區(qū)面積比的影響。這里,把發(fā)射區(qū)面積比考慮成晶體管的并聯(lián)數(shù)目。如果在電流反射鏡電路的輸入一側(cè)有Ai個晶體管并聯(lián)連接,那么輸入電流IIN就是各晶體管的集電極電流的A,倍。所以,如果輸人一側(cè)(左側(cè))的晶體管湊在一起作為合成晶體管QI.www.xluic.com
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