雙極型晶體管

發(fā)布時(shí)間:2013/7/8 20:15:38 訪問次數(shù):1505

    雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡寫為BJT）是最常PTC250-145見的晶體管。分為NPN和PNP兩種類型，可用于放大信號(hào)。“晶體管（transistor）”的英文名字是由“轉(zhuǎn)移電阻( transferred resistor)”演化而來的。
   通過NPN 3個(gè)英文字母，我們可以聯(lián)想到NPN型晶體管的結(jié)構(gòu)。NPN型管的實(shí)際結(jié)構(gòu)確實(shí)呈三明治形式，即兩個(gè)N型材料中間夾有P型材料，N型材料較厚，P型材料非常薄。P型材料為基極( base)，其中一個(gè)N型材料構(gòu)成發(fā)射電子的發(fā)射極( emitter)，另一個(gè)N型材料負(fù)責(zé)收集電子，因此稱作集電極( collector)。
    如果我們簡單地將集電極接電池的正極，將發(fā)射極接電池的負(fù)極，則不會(huì)有電流流動(dòng)，因?yàn)榛鶚O的負(fù)電荷排斥電子。如果再給基極加上正電壓，使得這些電荷被中和，這時(shí)電子就不再被排斥。又由于基極區(qū)很薄，受集電極正電荷的強(qiáng)吸引力拉動(dòng)，電子穿過基極區(qū)奔向集電極區(qū)，這樣就產(chǎn)生了集電極電流。
    基極一發(fā)射極結(jié)（即BE結(jié)）現(xiàn)在為一個(gè)正向偏置的二極管，因此，應(yīng)該不會(huì)感到。晾訝地得知，晶體管需要有0.7V的基極一發(fā)射極壓降，以促使電子從發(fā)射極傳送到集電極。由于基極區(qū)如此之薄，集電極的吸引力又是如此之強(qiáng)，那些電子因而只有很小的一部分從基極流出而成為基極電流，所以，集電極電流與基極電流之比很大。晶體管也因此而具有了電流增益。有時(shí)這個(gè)電流增益被稱為口(beta)，但在更多的時(shí)候，針對(duì)直流的電流增益被稱力hFE，針對(duì)交流的電流增益被稱為玩。對(duì)于所有的實(shí)際應(yīng)用，近似有hFE=hfe。晶體管產(chǎn)品在電流增益這項(xiàng)參數(shù)上的離散性很大，與此相比，hFE與hfe之間的差別可謂微不足道。[hFE：“辦”意為混合模型（hybrid model，即h參數(shù)模型——譯注），“F”代表正向（forward）電流傳送比率，“E”表示發(fā)射極( emitter)為共接端。難道你不希望有人向你請(qǐng)教這其中的含義嗎？]
    雙極型晶體管更為重要、可預(yù)測的參數(shù)是跨導(dǎo)（transconductance）[以前稱作互導(dǎo)( mutual conductance)]，即gm，這是指基極一發(fā)射極電壓變化所引致的集電極電流變化：
     如果是電子管，我們將在本書后面看到，我們必須始終在工作點(diǎn)上測量其gm，或通過電子管的特性曲線圖求得。對(duì)于晶體管，跨導(dǎo)可根據(jù)Ebers-Moll方程式確定。

    雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，簡寫為BJT）是最常PTC250-145見的晶體管。分為NPN和PNP兩種類型，可用于放大信號(hào)�！熬w管（transistor）”的英文名字是由“轉(zhuǎn)移電阻( transferred resistor)”演化而來的。
   通過NPN 3個(gè)英文字母，我們可以聯(lián)想到NPN型晶體管的結(jié)構(gòu)。NPN型管的實(shí)際結(jié)構(gòu)確實(shí)呈三明治形式，即兩個(gè)N型材料中間夾有P型材料，N型材料較厚，P型材料非常薄。P型材料為基極( base)，其中一個(gè)N型材料構(gòu)成發(fā)射電子的發(fā)射極( emitter)，另一個(gè)N型材料負(fù)責(zé)收集電子，因此稱作集電極( collector)。
    如果我們簡單地將集電極接電池的正極，將發(fā)射極接電池的負(fù)極，則不會(huì)有電流流動(dòng)，因?yàn)榛鶚O的負(fù)電荷排斥電子。如果再給基極加上正電壓，使得這些電荷被中和，這時(shí)電子就不再被排斥。又由于基極區(qū)很薄，受集電極正電荷的強(qiáng)吸引力拉動(dòng)，電子穿過基極區(qū)奔向集電極區(qū)，這樣就產(chǎn)生了集電極電流。
    基極一發(fā)射極結(jié)（即BE結(jié)）現(xiàn)在為一個(gè)正向偏置的二極管，因此，應(yīng)該不會(huì)感到。晾訝地得知，晶體管需要有0.7V的基極一發(fā)射極壓降，以促使電子從發(fā)射極傳送到集電極。由于基極區(qū)如此之薄，集電極的吸引力又是如此之強(qiáng)，那些電子因而只有很小的一部分從基極流出而成為基極電流，所以，集電極電流與基極電流之比很大。晶體管也因此而具有了電流增益。有時(shí)這個(gè)電流增益被稱為口(beta)，但在更多的時(shí)候，針對(duì)直流的電流增益被稱力hFE，針對(duì)交流的電流增益被稱為玩。對(duì)于所有的實(shí)際應(yīng)用，近似有hFE=hfe。晶體管產(chǎn)品在電流增益這項(xiàng)參數(shù)上的離散性很大，與此相比，hFE與hfe之間的差別可謂微不足道。[hFE：“辦”意為混合模型（hybrid model，即h參數(shù)模型——譯注），“F”代表正向（forward）電流傳送比率，“E”表示發(fā)射極( emitter)為共接端。難道你不希望有人向你請(qǐng)教這其中的含義嗎？]
    雙極型晶體管更為重要、可預(yù)測的參數(shù)是跨導(dǎo)（transconductance）[以前稱作互導(dǎo)( mutual conductance)]，即gm，這是指基極一發(fā)射極電壓變化所引致的集電極電流變化：
     如果是電子管，我們將在本書后面看到，我們必須始終在工作點(diǎn)上測量其gm，或通過電子管的特性曲線圖求得。對(duì)于晶體管，跨導(dǎo)可根據(jù)Ebers-Moll方程式確定。

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相關(guān)技術(shù)資料: 7-8雙極型晶體管

相關(guān)IC型號(hào): PTC250-145; 暫無最新型號(hào)

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