寄生電容帶來的影響

發(fā)布時(shí)間:2013/7/9 20:30:43 訪問次數(shù):2824

    與三極管相比，密勒電HV9961LG-G容大幅減小。但由于它如此之小，我們將不得不考慮寄生電容帶來的影響——之前并不明顯。
    由于控制柵極靠近陰極，所以必定有顯著的電容存在。而陰極又通過旁跆電容接地，因此處于地電位。規(guī)格書給出電容值的Ci。，是指除了陽極之外，柵極對(duì)其他所有電極的電容，所以，已將電子管內(nèi)的寄生電容包括在內(nèi)。對(duì)于EF86來說，Cin為3.8pF，這使得總的輸入電容（由電子管本身引起的）為8.4pF（譯注：這里指Ci。+C密勒28.4pF）。實(shí)際上，我們還應(yīng)加上若干pF的接線電容。因此，11.5pF將是一個(gè)合理的總值。
    三極管ECC83的這一電容為115pF，所以在這一方面，五極管的優(yōu)勝程度達(dá)到了10倍。總而言之，五極管與三極管相比，增益更高，輸出電壓擺幅更大，而輸入電容則大幅減小。既然優(yōu)點(diǎn)多多，但為何我們不是在任何時(shí)候都使用五極管呢？
    我們已經(jīng)知道，五極管失真諧波呈不良的分布，但對(duì)于小信號(hào)五極管來說，真正影響其應(yīng)用的殺手不是失真，而是噪聲。
    EF86被稱為“低噪聲五極管”，從嚴(yán)格的狹義上講，這是正確的。因?yàn)榘凑瘴鍢O管的標(biāo)準(zhǔn)，EF86的噪聲確實(shí)低。但按照三極管的標(biāo)準(zhǔn)，由于分配噪聲(partitionnoise)的存在，EF86的噪聲并非很好。
    相對(duì)于三極管來說，五極管的分配噪聲是額外增多的。它是由于電子束被分開送往陽極以及簾柵極g2而產(chǎn)生，其大小和陽極電流與簾柵極電沆之比有關(guān)，也和簾柵極的互導(dǎo)有關(guān)。典型情況為，五極管的噪聲比本身接成三極管時(shí)的噪聲高出6dB—14dB（EF86接成三極管時(shí)，其實(shí)是一只相當(dāng)好的三極管）。更糟的是，分配噪聲具有l(wèi)/f頻率分布的特點(diǎn)，意味著其幅度隨著頻率的下降而上升，這種分布特點(diǎn)的噪聲已被證明特別容易被人耳察覺。

    與三極管相比，密勒電HV9961LG-G容大幅減小。但由于它如此之小，我們將不得不考慮寄生電容帶來的影響——之前并不明顯。
    由于控制柵極靠近陰極，所以必定有顯著的電容存在。而陰極又通過旁跆電容接地，因此處于地電位。規(guī)格書給出電容值的Ci。，是指除了陽極之外，柵極對(duì)其他所有電極的電容，所以，已將電子管內(nèi)的寄生電容包括在內(nèi)。對(duì)于EF86來說，Cin為3.8pF，這使得總的輸入電容（由電子管本身引起的）為8.4pF（譯注：這里指Ci。+C密勒28.4pF）。實(shí)際上，我們還應(yīng)加上若干pF的接線電容。因此，11.5pF將是一個(gè)合理的總值。
    三極管ECC83的這一電容為115pF，所以在這一方面，五極管的優(yōu)勝程度達(dá)到了10倍�？偠灾�，五極管與三極管相比，增益更高，輸出電壓擺幅更大，而輸入電容則大幅減小。既然優(yōu)點(diǎn)多多，但為何我們不是在任何時(shí)候都使用五極管呢？
    我們已經(jīng)知道，五極管失真諧波呈不良的分布，但對(duì)于小信號(hào)五極管來說，真正影響其應(yīng)用的殺手不是失真，而是噪聲。
    EF86被稱為“低噪聲五極管”，從嚴(yán)格的狹義上講，這是正確的。因?yàn)榘凑瘴鍢O管的標(biāo)準(zhǔn)，EF86的噪聲確實(shí)低。但按照三極管的標(biāo)準(zhǔn)，由于分配噪聲(partitionnoise)的存在，EF86的噪聲并非很好。
    相對(duì)于三極管來說，五極管的分配噪聲是額外增多的。它是由于電子束被分開送往陽極以及簾柵極g2而產(chǎn)生，其大小和陽極電流與簾柵極電沆之比有關(guān)，也和簾柵極的互導(dǎo)有關(guān)。典型情況為，五極管的噪聲比本身接成三極管時(shí)的噪聲高出6dB—14dB（EF86接成三極管時(shí)，其實(shí)是一只相當(dāng)好的三極管）。更糟的是，分配噪聲具有l(wèi)/f頻率分布的特點(diǎn)，意味著其幅度隨著頻率的下降而上升，這種分布特點(diǎn)的噪聲已被證明特別容易被人耳察覺。

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相關(guān)IC型號(hào): HV9961LG-G; HV9910; HV9910LG; HV9910LG-G; HV9921N3-G

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