級(jí)間耦合
發(fā)布時(shí)間:2013/7/13 21:07:52 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1086
上一級(jí)電路與下一級(jí)電路的最常用耦合方法是電容耦合。理想的電容不會(huì)產(chǎn)生失真。但是，AT24C02即使耦合電容是理想的，也會(huì)導(dǎo)致電子管或晶體管產(chǎn)生的畸變進(jìn)一步惡化。
響應(yīng)中斷
響應(yīng)中斷( blocking)是一種令人甚為討厭的現(xiàn)象，發(fā)生在瞬時(shí)過(guò)載之后——放大電路在短時(shí)間內(nèi)不能對(duì)輸入信號(hào)作出響應(yīng)。簡(jiǎn)言之，就是由于耦合電容的存抗。更重要的是，第二只電子管現(xiàn)在是關(guān)斷的，一直持續(xù)關(guān)斷到他的柵極電壓回復(fù)至OV時(shí)為止。這樣，耦合電容就只能通過(guò)柵漏電阻來(lái)充電。之前我們知道，耦合電容與柵漏電阻構(gòu)成的時(shí)間常數(shù)為Fl60ms。然而，更糟糕的是，電容電壓要到達(dá)99%的充飽電壓，需要5f的時(shí)間。因此，在瞬間過(guò)載后，V2的柵極電位需要0.8秒的時(shí)間才能變回OV。
從過(guò)載恢復(fù)過(guò)來(lái)，電路情況實(shí)際比以上所述還要復(fù)雜。一旦電子管關(guān)斷，沒(méi)有陰極電流流過(guò)，陰極旁路電容就會(huì)開(kāi)始通過(guò)陰極偏置電阻放電。盡管這會(huì)使得電子管開(kāi)始導(dǎo)通的時(shí)間，比原先要早一些，但仍須經(jīng)歷響應(yīng)中斷，才能回復(fù)過(guò)來(lái)。所以，瞬時(shí)過(guò)載所帶來(lái)的副作用，仍延續(xù)差不多有1秒時(shí)間。
可能有人認(rèn)為，導(dǎo)致響應(yīng)中斷的嚴(yán)重過(guò)載不大可能發(fā)生。但對(duì)于輸出級(jí)輸入方式為電容耦合的大環(huán)路反饋功放來(lái)說(shuō)，幾乎總是有這種響應(yīng)中斷現(xiàn)象出現(xiàn)：假如輸出級(jí)瞬間削波；在反饋的作用下，電路為了糾正削波時(shí)的偏差，就會(huì)試圖大大強(qiáng)化對(duì)輸出級(jí)的驅(qū)動(dòng)，于是，產(chǎn)生響應(yīng)中斷的條件就得到了滿(mǎn)足。
響應(yīng)中斷是由于耦合電容在電路過(guò)載期間，充電情況發(fā)生顯著變化而造成。因此，如果能夠取消耦合電容，使得后一級(jí)電路不會(huì)進(jìn)入過(guò)載，那么，問(wèn)題就不會(huì)發(fā)圭。有關(guān)這項(xiàng)技術(shù)的研究，見(jiàn)第6章介紹的無(wú)響應(yīng)中斷現(xiàn)象( non-blocking)的“Crystal Palace（水晶宮）”功率放大器。
響應(yīng)中斷
響應(yīng)中斷( blocking)是一種令人甚為討厭的現(xiàn)象，發(fā)生在瞬時(shí)過(guò)載之后——放大電路在短時(shí)間內(nèi)不能對(duì)輸入信號(hào)作出響應(yīng)。簡(jiǎn)言之，就是由于耦合電容的存抗。更重要的是，第二只電子管現(xiàn)在是關(guān)斷的，一直持續(xù)關(guān)斷到他的柵極電壓回復(fù)至OV時(shí)為止。這樣，耦合電容就只能通過(guò)柵漏電阻來(lái)充電。之前我們知道，耦合電容與柵漏電阻構(gòu)成的時(shí)間常數(shù)為Fl60ms。然而，更糟糕的是，電容電壓要到達(dá)99%的充飽電壓，需要5f的時(shí)間。因此，在瞬間過(guò)載后，V2的柵極電位需要0.8秒的時(shí)間才能變回OV。
從過(guò)載恢復(fù)過(guò)來(lái)，電路情況實(shí)際比以上所述還要復(fù)雜。一旦電子管關(guān)斷，沒(méi)有陰極電流流過(guò)，陰極旁路電容就會(huì)開(kāi)始通過(guò)陰極偏置電阻放電。盡管這會(huì)使得電子管開(kāi)始導(dǎo)通的時(shí)間，比原先要早一些，但仍須經(jīng)歷響應(yīng)中斷，才能回復(fù)過(guò)來(lái)。所以，瞬時(shí)過(guò)載所帶來(lái)的副作用，仍延續(xù)差不多有1秒時(shí)間。
可能有人認(rèn)為，導(dǎo)致響應(yīng)中斷的嚴(yán)重過(guò)載不大可能發(fā)生。但對(duì)于輸出級(jí)輸入方式為電容耦合的大環(huán)路反饋功放來(lái)說(shuō)，幾乎總是有這種響應(yīng)中斷現(xiàn)象出現(xiàn)：假如輸出級(jí)瞬間削波；在反饋的作用下，電路為了糾正削波時(shí)的偏差，就會(huì)試圖大大強(qiáng)化對(duì)輸出級(jí)的驅(qū)動(dòng)，于是，產(chǎn)生響應(yīng)中斷的條件就得到了滿(mǎn)足。
響應(yīng)中斷是由于耦合電容在電路過(guò)載期間，充電情況發(fā)生顯著變化而造成。因此，如果能夠取消耦合電容，使得后一級(jí)電路不會(huì)進(jìn)入過(guò)載，那么，問(wèn)題就不會(huì)發(fā)圭。有關(guān)這項(xiàng)技術(shù)的研究，見(jiàn)第6章介紹的無(wú)響應(yīng)中斷現(xiàn)象( non-blocking)的“Crystal Palace（水晶宮）”功率放大器。
上一級(jí)電路與下一級(jí)電路的最常用耦合方法是電容耦合。理想的電容不會(huì)產(chǎn)生失真。但是，AT24C02即使耦合電容是理想的，也會(huì)導(dǎo)致電子管或晶體管產(chǎn)生的畸變進(jìn)一步惡化。
響應(yīng)中斷
響應(yīng)中斷( blocking)是一種令人甚為討厭的現(xiàn)象，發(fā)生在瞬時(shí)過(guò)載之后——放大電路在短時(shí)間內(nèi)不能對(duì)輸入信號(hào)作出響應(yīng)。簡(jiǎn)言之，就是由于耦合電容的存抗。更重要的是，第二只電子管現(xiàn)在是關(guān)斷的，一直持續(xù)關(guān)斷到他的柵極電壓回復(fù)至OV時(shí)為止。這樣，耦合電容就只能通過(guò)柵漏電阻來(lái)充電。之前我們知道，耦合電容與柵漏電阻構(gòu)成的時(shí)間常數(shù)為Fl60ms。然而，更糟糕的是，電容電壓要到達(dá)99%的充飽電壓，需要5f的時(shí)間。因此，在瞬間過(guò)載后，V2的柵極電位需要0.8秒的時(shí)間才能變回OV。
從過(guò)載恢復(fù)過(guò)來(lái)，電路情況實(shí)際比以上所述還要復(fù)雜。一旦電子管關(guān)斷，沒(méi)有陰極電流流過(guò)，陰極旁路電容就會(huì)開(kāi)始通過(guò)陰極偏置電阻放電。盡管這會(huì)使得電子管開(kāi)始導(dǎo)通的時(shí)間，比原先要早一些，但仍須經(jīng)歷響應(yīng)中斷，才能回復(fù)過(guò)來(lái)。所以，瞬時(shí)過(guò)載所帶來(lái)的副作用，仍延續(xù)差不多有1秒時(shí)間。
可能有人認(rèn)為，導(dǎo)致響應(yīng)中斷的嚴(yán)重過(guò)載不大可能發(fā)生。但對(duì)于輸出級(jí)輸入方式為電容耦合的大環(huán)路反饋功放來(lái)說(shuō)，幾乎總是有這種響應(yīng)中斷現(xiàn)象出現(xiàn)：假如輸出級(jí)瞬間削波；在反饋的作用下，電路為了糾正削波時(shí)的偏差，就會(huì)試圖大大強(qiáng)化對(duì)輸出級(jí)的驅(qū)動(dòng)，于是，產(chǎn)生響應(yīng)中斷的條件就得到了滿(mǎn)足。
響應(yīng)中斷是由于耦合電容在電路過(guò)載期間，充電情況發(fā)生顯著變化而造成。因此，如果能夠取消耦合電容，使得后一級(jí)電路不會(huì)進(jìn)入過(guò)載，那么，問(wèn)題就不會(huì)發(fā)圭。有關(guān)這項(xiàng)技術(shù)的研究，見(jiàn)第6章介紹的無(wú)響應(yīng)中斷現(xiàn)象( non-blocking)的“Crystal Palace（水晶宮）”功率放大器。
響應(yīng)中斷
響應(yīng)中斷( blocking)是一種令人甚為討厭的現(xiàn)象，發(fā)生在瞬時(shí)過(guò)載之后——放大電路在短時(shí)間內(nèi)不能對(duì)輸入信號(hào)作出響應(yīng)。簡(jiǎn)言之，就是由于耦合電容的存抗。更重要的是，第二只電子管現(xiàn)在是關(guān)斷的，一直持續(xù)關(guān)斷到他的柵極電壓回復(fù)至OV時(shí)為止。這樣，耦合電容就只能通過(guò)柵漏電阻來(lái)充電。之前我們知道，耦合電容與柵漏電阻構(gòu)成的時(shí)間常數(shù)為Fl60ms。然而，更糟糕的是，電容電壓要到達(dá)99%的充飽電壓，需要5f的時(shí)間。因此，在瞬間過(guò)載后，V2的柵極電位需要0.8秒的時(shí)間才能變回OV。
從過(guò)載恢復(fù)過(guò)來(lái)，電路情況實(shí)際比以上所述還要復(fù)雜。一旦電子管關(guān)斷，沒(méi)有陰極電流流過(guò)，陰極旁路電容就會(huì)開(kāi)始通過(guò)陰極偏置電阻放電。盡管這會(huì)使得電子管開(kāi)始導(dǎo)通的時(shí)間，比原先要早一些，但仍須經(jīng)歷響應(yīng)中斷，才能回復(fù)過(guò)來(lái)。所以，瞬時(shí)過(guò)載所帶來(lái)的副作用，仍延續(xù)差不多有1秒時(shí)間。
可能有人認(rèn)為，導(dǎo)致響應(yīng)中斷的嚴(yán)重過(guò)載不大可能發(fā)生。但對(duì)于輸出級(jí)輸入方式為電容耦合的大環(huán)路反饋功放來(lái)說(shuō)，幾乎總是有這種響應(yīng)中斷現(xiàn)象出現(xiàn)：假如輸出級(jí)瞬間削波；在反饋的作用下，電路為了糾正削波時(shí)的偏差，就會(huì)試圖大大強(qiáng)化對(duì)輸出級(jí)的驅(qū)動(dòng)，于是，產(chǎn)生響應(yīng)中斷的條件就得到了滿(mǎn)足。
響應(yīng)中斷是由于耦合電容在電路過(guò)載期間，充電情況發(fā)生顯著變化而造成。因此，如果能夠取消耦合電容，使得后一級(jí)電路不會(huì)進(jìn)入過(guò)載，那么，問(wèn)題就不會(huì)發(fā)圭。有關(guān)這項(xiàng)技術(shù)的研究，見(jiàn)第6章介紹的無(wú)響應(yīng)中斷現(xiàn)象( non-blocking)的“Crystal Palace（水晶宮）”功率放大器。
上一篇：計(jì)權(quán)失真測(cè)量結(jié)果
上一篇：變壓器耦合
相關(guān)技術(shù)資料- 3-6這些要求通過(guò)以下LTE的特征來(lái)實(shí)現(xiàn)
- 7-8基于網(wǎng)絡(luò)的監(jiān)測(cè)和配置工具簡(jiǎn)化了遠(yuǎn)程硬件的管理
- 7-13級(jí)間耦合
- 10-9使用PC并行口配置FPGA
熱門(mén)點(diǎn)擊
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- 級(jí)間耦合
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推薦技術(shù)資料
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