PN結(jié)二極管
發(fā)布時(shí)間:2013/7/29 20:14:46 訪問次數(shù):1010
當(dāng)二極管處于穩(wěn)態(tài)時(shí),EF在整個(gè)PN結(jié)上是平坦的,PC817B并且在二極管上沒有凈電流流過。因此通過大部分P型和N型材料(圖中的陰影區(qū)域一襯底材料)的導(dǎo)帶和價(jià)帶也是平坦的。但是,由于材料在合金結(jié)的附近會(huì)出現(xiàn)電荷載流子耗盡,這里載流子濃度很低,從而導(dǎo)致EF接近帶隙的中間位置,表現(xiàn)出與本征半導(dǎo)體(即未摻人任何雜質(zhì))類似的性質(zhì),這種影響的結(jié)果就是能帶彎曲,如圖2.5(b)所示。彎曲代表電荷載流子必須克服能量勢(shì)壘,才能擴(kuò)散通過PN結(jié),這個(gè)勢(shì)壘通常表示為勢(shì)壘電勢(shì)。
在二極管上施加電壓將改變勢(shì)壘電勢(shì),并使得器件脫離穩(wěn)態(tài)。如圖2.6(a)中所示,P型區(qū)施加正電壓VD,從而降低了勢(shì)壘,載流子濃度在勢(shì)壘閾值之上表現(xiàn)出指數(shù)增長關(guān)系,允許載流子擴(kuò)散到摻雜相反的另一邊,從而引入了額外電流。另外,當(dāng)在二極管上施加反向電壓VR,其情況如圖2.6(b)所示,勢(shì)壘增加,阻止了擴(kuò)散,從而減小電流。器件導(dǎo)通的總體結(jié)果如圖2.6(c)所示,①隨著正向偏置電壓v。的增加,流人PN結(jié)P型區(qū)(陽極)的電流i。呈指數(shù)關(guān)系增加;②偏置電壓為O時(shí),電流為O;③在反向偏置電壓下(VD小于O),電流接近于O:Is為二極管的反向飽和電流,對(duì)特定材料來說是恒定的,一般在fA(10 -is A)的量級(jí);V。為熱電壓,在室溫下大約為25.6mV。值得注意的是,高溫環(huán)境會(huì)使擴(kuò)散現(xiàn)象增強(qiáng)(通過擴(kuò)散系數(shù)和遷移率),電流增加(即將增加),也就等效為,對(duì)于給定的電流密度,二極管電壓VD隨著溫度的升高而減小——一二極管在高溫環(huán)境下更加“強(qiáng)壯”(電流更大),即VD具有負(fù)的溫度系數(shù)。
當(dāng)二極管處于穩(wěn)態(tài)時(shí),EF在整個(gè)PN結(jié)上是平坦的,PC817B并且在二極管上沒有凈電流流過。因此通過大部分P型和N型材料(圖中的陰影區(qū)域一襯底材料)的導(dǎo)帶和價(jià)帶也是平坦的。但是,由于材料在合金結(jié)的附近會(huì)出現(xiàn)電荷載流子耗盡,這里載流子濃度很低,從而導(dǎo)致EF接近帶隙的中間位置,表現(xiàn)出與本征半導(dǎo)體(即未摻人任何雜質(zhì))類似的性質(zhì),這種影響的結(jié)果就是能帶彎曲,如圖2.5(b)所示。彎曲代表電荷載流子必須克服能量勢(shì)壘,才能擴(kuò)散通過PN結(jié),這個(gè)勢(shì)壘通常表示為勢(shì)壘電勢(shì)。
在二極管上施加電壓將改變勢(shì)壘電勢(shì),并使得器件脫離穩(wěn)態(tài)。如圖2.6(a)中所示,P型區(qū)施加正電壓VD,從而降低了勢(shì)壘,載流子濃度在勢(shì)壘閾值之上表現(xiàn)出指數(shù)增長關(guān)系,允許載流子擴(kuò)散到摻雜相反的另一邊,從而引入了額外電流。另外,當(dāng)在二極管上施加反向電壓VR,其情況如圖2.6(b)所示,勢(shì)壘增加,阻止了擴(kuò)散,從而減小電流。器件導(dǎo)通的總體結(jié)果如圖2.6(c)所示,①隨著正向偏置電壓v。的增加,流人PN結(jié)P型區(qū)(陽極)的電流i。呈指數(shù)關(guān)系增加;②偏置電壓為O時(shí),電流為O;③在反向偏置電壓下(VD小于O),電流接近于O:Is為二極管的反向飽和電流,對(duì)特定材料來說是恒定的,一般在fA(10 -is A)的量級(jí);V。為熱電壓,在室溫下大約為25.6mV。值得注意的是,高溫環(huán)境會(huì)使擴(kuò)散現(xiàn)象增強(qiáng)(通過擴(kuò)散系數(shù)和遷移率),電流增加(即將增加),也就等效為,對(duì)于給定的電流密度,二極管電壓VD隨著溫度的升高而減小——一二極管在高溫環(huán)境下更加“強(qiáng)壯”(電流更大),即VD具有負(fù)的溫度系數(shù)。
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