與電阻和電容類似，二極管位置接近、方向一致、共質(zhì)心、十指交叉和交叉耦合等技術(shù)都會(huì)提高其匹配性能。但是，與多晶硅電阻和電容不同的是，二極管是擴(kuò)散器件，PCF8531U/2/F1不受光刻誤差的影響，所以，二極管陣列周圍的冗余器件（或者擴(kuò)散條）將不能像多晶硅器件周圍的冗余多晶硅條那樣提高匹配性能。但是，擴(kuò)散區(qū)邊沿也會(huì)受到其周邊區(qū)域擴(kuò)散濃度的影響，增加冗余等距擴(kuò)散條可以提高擴(kuò)散區(qū)邊沿濃度和寄生器件的均勻性。圖2.9表示了CMOS、雙極工藝或者BiCMOS工藝中PN結(jié)二極管版圖俯視圖：P+-源區(qū)一漏區(qū)(P+-S/D)，N-阱和N+發(fā)射區(qū)P-基極二極管。

             
    本征器件
    雙極型結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背對(duì)背的二極管，能帶圖如圖2.10所示，其中共用的中間短區(qū)域稱為基區(qū)�；鶇^(qū)的名稱來源于器件的物理實(shí)現(xiàn)，因?yàn)樵搮^(qū)域作為晶體管的物理基礎(chǔ)。與二極管的分析相同，正向偏置情況下（即uB>VE），電荷載流子擴(kuò)散通過BE結(jié)。但是與二極管不同的是，由于基區(qū)寬度(W)相對(duì)于平均擴(kuò)散長度較窄，反向偏置BC結(jié)的電場(chǎng)將少數(shù)載流子流過基區(qū)，在未進(jìn)行基區(qū)復(fù)合的情況下流入集電區(qū)。因此如圖2.10所示，多數(shù)N+發(fā)射區(qū)域發(fā)射的電子由N型端口收集起來，形成集電極電流zc。BE結(jié)正向偏置情況下，從基區(qū)擴(kuò)散到發(fā)射區(qū)的載流子產(chǎn)生基區(qū)電流iB。電流iB和iB的綜合形成總的發(fā)射極電流。