根據(jù)命名的習(xí)慣，理想情況下，PCF8563T晶體管是帶有跨導(dǎo)調(diào)制端（即基極）的電阻�；鶚O的輸入電流應(yīng)該比較小，集電極和基極電流比值較高，這也是通常情況下發(fā)射區(qū)(如N+或者P+)比基區(qū)（如P或者N）擴(kuò)散濃度大的原因。集電極低摻雜（如N-或者P-）減小了反向偏置電流，增加了BC結(jié)的擊穿電壓，即可承受更高的CE電壓。由于流經(jīng)集電極的電流是少數(shù)載流子擴(kuò)散進(jìn)入基區(qū)形成的，因此與正向偏置BE結(jié)電壓，訖呈指數(shù)關(guān)系，如圖2.ll(b)所示的FV關(guān)系曲線。由于BC耗盡區(qū)隨著CB電壓。的增加而增加，基區(qū)寬度W。7隨著CE電壓VC的增加而減小，而基區(qū)寬度的減少將降低基區(qū)中少數(shù)載流子復(fù)合的數(shù)量，所以，集電極電流有輕微的增加.
    此處應(yīng)注意圖中表示發(fā)射極的箭頭方向和I-V特性曲線上BE結(jié)電流方向酌點(diǎn)。

            
    雙極型晶體管有四個(gè)工作區(qū)。從模擬的角度來看，最希望的工作區(qū)域是此前所描述的情況，即發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，因?yàn)楣ぷ髟谶@種情況下，器件具有最高的電流和電壓增益。因此工藝設(shè)計(jì)工程師會(huì)將器件進(jìn)行優(yōu)化，使其適合于這一特殊區(qū)域，即正向偏置模式。如果將發(fā)射極和集電極的偏置情況交換，也會(huì)產(chǎn)生與正向偏置模式下相似的動(dòng)態(tài)電流特性，但是沒有正常情況下的性能優(yōu)良。與正向偏置的情況一樣，集電結(jié)正向偏置引起載流子從集電區(qū)向基區(qū)擴(kuò)散，而反向偏置發(fā)射結(jié)會(huì)使擴(kuò)散的少數(shù)載流子流人發(fā)射區(qū)。但是，與正向偏置情況不同，其電流幅度和相應(yīng)的電流增益變小，這是因?yàn)榧妳^(qū)的自由載流子相對(duì)于發(fā)射區(qū)要少，也就是說，其摻雜濃度低。
    集電結(jié)正向偏置的同時(shí)，發(fā)射結(jié)也正向偏置，會(huì)引入集電結(jié)電流，但是相對(duì)于正向偏置模式下，降低（或者使其飽和）了雙極型晶體管的有效電流增益。但是，實(shí)際上集電結(jié)輕微的正向偏置電壓（即晶體管輕度飽和，如0～0.3V）引起的額外基極電流幾乎都可以忽略，因此仍然可以保持與正向偏置模式下的高電流增益。但是如果兩個(gè)結(jié)都反向偏置，所有端口流過的電流幾乎都可以忽略，也就是器件處于關(guān)斷狀態(tài)。值得注意的是，與二極管類似，溫度越高，擴(kuò)散過程越劇烈（即通過增加少數(shù)載流子擴(kuò)散系數(shù)和遷移率，可以增加反向飽和電流），所以較小的發(fā)射結(jié)偏置電壓就可以形成較大的集電極電流。