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靜電敏感器件的分級

發(fā)布時間:2013/9/9 20:45:38 訪問次數(shù):4211

    對靜電反應敏感的器件稱為靜電敏感元器件( SSD)。SN74ALS191ANSR靜電敏感器件主要是半導體器件、超大規(guī)模集成電路,特別是金屬化膜半導體(MOS集成電路電路),例如肖特基墊壘二極管、點接觸、二極管等微波器件、MOSFET器件、聲表面波(SAW)器件、結型場效應晶體管(JFET)、電荷耦合器件(CCD)、精密穩(wěn)壓二極管、運算放大器(OPAMP)、薄膜電阻器、MOS集成電路、使用SSD元器件構成的混合電路、超高速集成電路(UHSIC)及可控硅整流器等。靜電敏感器件的靜電承受能力與器件本身的尺寸、結構以及所使用的材料有著密切的關系。
    根據(jù)國家軍用標準《電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱》的分級方法可將靜電敏感器件分為3級。靜電敏感度在0~1999 V的元器件為1級;靜電敏感度在2 000~3 999 V的元器件為2級;靜電敏感度在4000~15 999 V的元器件為3級;而靜電敏感度超過3級的元器件、組件和設備被認為非靜電敏感產(chǎn)品。根據(jù)SSD分級,可針對不同的SSD器件,采取不同的靜電防護措施。
    對靜電反應敏感的器件稱為靜電敏感元器件( SSD)。SN74ALS191ANSR靜電敏感器件主要是半導體器件、超大規(guī)模集成電路,特別是金屬化膜半導體(MOS集成電路電路),例如肖特基墊壘二極管、點接觸、二極管等微波器件、MOSFET器件、聲表面波(SAW)器件、結型場效應晶體管(JFET)、電荷耦合器件(CCD)、精密穩(wěn)壓二極管、運算放大器(OPAMP)、薄膜電阻器、MOS集成電路、使用SSD元器件構成的混合電路、超高速集成電路(UHSIC)及可控硅整流器等。靜電敏感器件的靜電承受能力與器件本身的尺寸、結構以及所使用的材料有著密切的關系。
    根據(jù)國家軍用標準《電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱》的分級方法可將靜電敏感器件分為3級。靜電敏感度在0~1999 V的元器件為1級;靜電敏感度在2 000~3 999 V的元器件為2級;靜電敏感度在4000~15 999 V的元器件為3級;而靜電敏感度超過3級的元器件、組件和設備被認為非靜電敏感產(chǎn)品。根據(jù)SSD分級,可針對不同的SSD器件,采取不同的靜電防護措施。

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