絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)
發(fā)布時(shí)間:2013/9/11 20:45:12 訪問(wèn)次數(shù):851
(1)功率型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)
功率型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管( VMOSFET)具有輸入阻抗高，S99GL064A401驅(qū)動(dòng)電流小，耐壓高(最高耐壓達(dá)1 200 V)，工作電流大(1. 5～100 A)．輸入功率大(1—250 W),跨導(dǎo)線性好，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
判斷引腳
①判定柵極G。VMOSFET的柵極G與其余兩引腳端是絕緣的。將萬(wàn)用表置于R×1kQ擋，分別測(cè)量3個(gè)引腳端之間的電阻，如果測(cè)得某引腳端與其余兩引腳端間的電阻值均為無(wú)窮大，且對(duì)換表筆測(cè)量時(shí)阻值仍為無(wú)窮大，則證明此引腳端是柵極G。
注意：此種測(cè)量法僅對(duì)管內(nèi)無(wú)保護(hù)二極管的VMOS管適用。
②判定源極S和漏極D。VMOSFET在源一漏極之間有一個(gè)PN結(jié)，測(cè)量PN結(jié)正、反向電阻的差異，可準(zhǔn)確識(shí)別源極S和漏極D。將萬(wàn)用表置于R×1 kfl擋，先用一個(gè)表筆將被測(cè)VMOS管3個(gè)電極短接一下，然后用交換表筆的方法測(cè)兩次電阻，如果管子是的，必然會(huì)測(cè)得阻值為一大一小。其中阻值較大的-次測(cè)量中，黑表筆所接的為漏極D，紅表筆所接的為源極S；而阻值較小的一次測(cè)量中，紅表筆所接的為漏極D，黑表筆所接的為源極S，被測(cè)管為N溝道VMOSFET。若被測(cè)管子為P溝道VMOSFET，則所測(cè)阻值的大小規(guī)律正好相反。
功率型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管( VMOSFET)具有輸入阻抗高，S99GL064A401驅(qū)動(dòng)電流小，耐壓高(最高耐壓達(dá)1 200 V)，工作電流大(1. 5～100 A)．輸入功率大(1—250 W),跨導(dǎo)線性好，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
判斷引腳
①判定柵極G。VMOSFET的柵極G與其余兩引腳端是絕緣的。將萬(wàn)用表置于R×1kQ擋，分別測(cè)量3個(gè)引腳端之間的電阻，如果測(cè)得某引腳端與其余兩引腳端間的電阻值均為無(wú)窮大，且對(duì)換表筆測(cè)量時(shí)阻值仍為無(wú)窮大，則證明此引腳端是柵極G。
注意：此種測(cè)量法僅對(duì)管內(nèi)無(wú)保護(hù)二極管的VMOS管適用。
②判定源極S和漏極D。VMOSFET在源一漏極之間有一個(gè)PN結(jié)，測(cè)量PN結(jié)正、反向電阻的差異，可準(zhǔn)確識(shí)別源極S和漏極D。將萬(wàn)用表置于R×1 kfl擋，先用一個(gè)表筆將被測(cè)VMOS管3個(gè)電極短接一下，然后用交換表筆的方法測(cè)兩次電阻，如果管子是的，必然會(huì)測(cè)得阻值為一大一小。其中阻值較大的-次測(cè)量中，黑表筆所接的為漏極D，紅表筆所接的為源極S；而阻值較小的一次測(cè)量中，紅表筆所接的為漏極D，黑表筆所接的為源極S，被測(cè)管為N溝道VMOSFET。若被測(cè)管子為P溝道VMOSFET，則所測(cè)阻值的大小規(guī)律正好相反。
(1)功率型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)
功率型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管( VMOSFET)具有輸入阻抗高，S99GL064A401驅(qū)動(dòng)電流小，耐壓高(最高耐壓達(dá)1 200 V)，工作電流大(1. 5～100 A)．輸入功率大(1—250 W),跨導(dǎo)線性好，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
判斷引腳
①判定柵極G。VMOSFET的柵極G與其余兩引腳端是絕緣的。將萬(wàn)用表置于R×1kQ擋，分別測(cè)量3個(gè)引腳端之間的電阻，如果測(cè)得某引腳端與其余兩引腳端間的電阻值均為無(wú)窮大，且對(duì)換表筆測(cè)量時(shí)阻值仍為無(wú)窮大，則證明此引腳端是柵極G。
注意：此種測(cè)量法僅對(duì)管內(nèi)無(wú)保護(hù)二極管的VMOS管適用。
②判定源極S和漏極D。VMOSFET在源一漏極之間有一個(gè)PN結(jié)，測(cè)量PN結(jié)正、反向電阻的差異，可準(zhǔn)確識(shí)別源極S和漏極D。將萬(wàn)用表置于R×1 kfl擋，先用一個(gè)表筆將被測(cè)VMOS管3個(gè)電極短接一下，然后用交換表筆的方法測(cè)兩次電阻，如果管子是的，必然會(huì)測(cè)得阻值為一大一小。其中阻值較大的-次測(cè)量中，黑表筆所接的為漏極D，紅表筆所接的為源極S；而阻值較小的一次測(cè)量中，紅表筆所接的為漏極D，黑表筆所接的為源極S，被測(cè)管為N溝道VMOSFET。若被測(cè)管子為P溝道VMOSFET，則所測(cè)阻值的大小規(guī)律正好相反。
功率型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管( VMOSFET)具有輸入阻抗高，S99GL064A401驅(qū)動(dòng)電流小，耐壓高(最高耐壓達(dá)1 200 V)，工作電流大(1. 5～100 A)．輸入功率大(1—250 W),跨導(dǎo)線性好，開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。
判斷引腳
①判定柵極G。VMOSFET的柵極G與其余兩引腳端是絕緣的。將萬(wàn)用表置于R×1kQ擋，分別測(cè)量3個(gè)引腳端之間的電阻，如果測(cè)得某引腳端與其余兩引腳端間的電阻值均為無(wú)窮大，且對(duì)換表筆測(cè)量時(shí)阻值仍為無(wú)窮大，則證明此引腳端是柵極G。
注意：此種測(cè)量法僅對(duì)管內(nèi)無(wú)保護(hù)二極管的VMOS管適用。
②判定源極S和漏極D。VMOSFET在源一漏極之間有一個(gè)PN結(jié)，測(cè)量PN結(jié)正、反向電阻的差異，可準(zhǔn)確識(shí)別源極S和漏極D。將萬(wàn)用表置于R×1 kfl擋，先用一個(gè)表筆將被測(cè)VMOS管3個(gè)電極短接一下，然后用交換表筆的方法測(cè)兩次電阻，如果管子是的，必然會(huì)測(cè)得阻值為一大一小。其中阻值較大的-次測(cè)量中，黑表筆所接的為漏極D，紅表筆所接的為源極S；而阻值較小的一次測(cè)量中，紅表筆所接的為漏極D，黑表筆所接的為源極S，被測(cè)管為N溝道VMOSFET。若被測(cè)管子為P溝道VMOSFET，則所測(cè)阻值的大小規(guī)律正好相反。
上一篇：管子好壞的判別
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- S99GL064A401
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