數(shù)字集成電路的噪聲容限
發(fā)布時(shí)間:2013/9/12 19:39:52 訪問(wèn)次數(shù):4302
為保證數(shù)字集成電路信號(hào)的正確傳輸,SN74LV14APWR必須滿足UOH≥U.H和UOL≤UIL。但在邏輯信號(hào)傳送過(guò)程中,不可避免地會(huì)受到各種干擾,信號(hào)傳送過(guò)程中的主要干擾如表4.2.2所列。
表4.2.2信號(hào)傳送過(guò)程中的主要干擾
邏輯信號(hào)在傳送過(guò)程中會(huì)受各種干擾而發(fā)生畸變,為保證信號(hào)的正碲傳輸,除了盡量減少各種干擾因素以外,器件本身的噪聲容限指標(biāo)(抗干擾能力)也是十分重要的。
將表4.2.1中74LS系列的四電壓參數(shù)表示在圖4.2.31中,可以看到,當(dāng)電路輸出為邏輯“0”(低電平)時(shí),輸出電壓最高為o.4 V。將此信號(hào)傳送到另一個(gè)電路的輸入端時(shí),只要不超過(guò)0.8 V,輸入端就能正確地接收。也就是說(shuō),允許信號(hào)在傳送過(guò)程中受至咔干擾而產(chǎn)生的變化為0.4 V,這一變化范圍稱為低電平噪聲容限,記為同理,從圖中可以看出,高電平的噪聲容限UH為0.7 V。
圖4.2. 31噪聲容限示意圖
噪聲容限是用來(lái)說(shuō)明數(shù)字集成電路抗干擾能力大小的參數(shù)。噪聲容限大,說(shuō)明抗干擾能力強(qiáng);噪聲容限小,說(shuō)明抗干擾能力弱。根據(jù)表4.2.1中的四電壓參數(shù)可以得到各系列器件的噪聲容限。從表中數(shù)據(jù)可以看到CMOS系列器件的噪聲容限比TTL系列器件的要大得多,在干擾比較強(qiáng)的環(huán)境中應(yīng)當(dāng)選用CMOS系列器件以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。由于CMOS系列器件的工作電壓可以達(dá)到15—18 V,因此使用高工作電壓,電路的噪聲容限也會(huì)提高。
為保證數(shù)字集成電路信號(hào)的正確傳輸,SN74LV14APWR必須滿足UOH≥U.H和UOL≤UIL。但在邏輯信號(hào)傳送過(guò)程中,不可避免地會(huì)受到各種干擾,信號(hào)傳送過(guò)程中的主要干擾如表4.2.2所列。
表4.2.2信號(hào)傳送過(guò)程中的主要干擾
邏輯信號(hào)在傳送過(guò)程中會(huì)受各種干擾而發(fā)生畸變,為保證信號(hào)的正碲傳輸,除了盡量減少各種干擾因素以外,器件本身的噪聲容限指標(biāo)(抗干擾能力)也是十分重要的。
將表4.2.1中74LS系列的四電壓參數(shù)表示在圖4.2.31中,可以看到,當(dāng)電路輸出為邏輯“0”(低電平)時(shí),輸出電壓最高為o.4 V。將此信號(hào)傳送到另一個(gè)電路的輸入端時(shí),只要不超過(guò)0.8 V,輸入端就能正確地接收。也就是說(shuō),允許信號(hào)在傳送過(guò)程中受至咔干擾而產(chǎn)生的變化為0.4 V,這一變化范圍稱為低電平噪聲容限,記為同理,從圖中可以看出,高電平的噪聲容限UH為0.7 V。
圖4.2. 31噪聲容限示意圖
噪聲容限是用來(lái)說(shuō)明數(shù)字集成電路抗干擾能力大小的參數(shù)。噪聲容限大,說(shuō)明抗干擾能力強(qiáng);噪聲容限小,說(shuō)明抗干擾能力弱。根據(jù)表4.2.1中的四電壓參數(shù)可以得到各系列器件的噪聲容限。從表中數(shù)據(jù)可以看到CMOS系列器件的噪聲容限比TTL系列器件的要大得多,在干擾比較強(qiáng)的環(huán)境中應(yīng)當(dāng)選用CMOS系列器件以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。由于CMOS系列器件的工作電壓可以達(dá)到15—18 V,因此使用高工作電壓,電路的噪聲容限也會(huì)提高。
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