cMos門(mén)電路，N、P溝道增強(qiáng)型，
    工藝簡(jiǎn)單功耗低，應(yīng)用最廣受人稱(chēng)。
    反相器為基礎(chǔ)，構(gòu)成與非、或非門(mén)。
    電路使用有規(guī)則，各項(xiàng)規(guī)則應(yīng)記清。
    CMOS門(mén)電路是以增強(qiáng)型P溝道MOS管和增強(qiáng)型N溝道MOS管構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS器件，MT28F320J3RP-11ET具有功耗低、抗干擾能力強(qiáng)、開(kāi)關(guān)速度快、制造工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，是目前應(yīng)用最廣泛的一種數(shù)字集成電路。
    CMOS反相器電路如圖4-10 (a)所示。由N溝道增強(qiáng)型MOS管VT1和P溝道增強(qiáng)型MOS管lrl2串聯(lián)而成。其中VT2管起負(fù)載作用，稱(chēng)為負(fù)載管；VT1稱(chēng)為驅(qū)動(dòng)管。VT1與VT2的漏極接在一起，作為反相器的輸出端。兩管的柵極并在一起，作為反相器的輸入端。VT2的源極接U，VT1的源極接地。當(dāng)輸入低電平時(shí)，輸出為高電平；當(dāng)輸入為高電平時(shí)，輸出為低電平。輸入與輸出是反相（非）的關(guān)系。

           
    在實(shí)際的CMOS反相器電路中，為了防止擊穿，需在電路中加保護(hù)措施，如圖4-10 (b)所示。VD1和VD2能夠有效地保護(hù)器件的氧化層。電路正常工作時(shí)，VD1和VD2開(kāi)路，對(duì)電路的正常工作不產(chǎn)生影響。其中Cl和C2是VT1和VT2的等效柵權(quán)電容；RS、Cl和C2組成一積分電路，起到抑制輸入端干擾的作用。