在基極電流ie為確定值時，VCE與ic之間為龜一常數(shù)，XC2C64A-7QFG48C其關(guān)系曲線稱為三極管輸出特性曲線。輸出特性曲線同樣可采用查找半導(dǎo)體器件手冊和用“晶體管特性圖示儀”測量等方法獲得。圖1.3.6所示即為ZB取不同值時，NPN型硅管的輸出特性曲線簇。由圖中的任意一條曲線可以看出，在坐標(biāo)原點處隨著VCE的增大，ic跟著增大。當(dāng)VCE大于1V以后，無論VC,E怎樣變化，zc幾乎不變，曲線與橫軸接近平行。這說明三極管具有恒流特性。通常把三極管輸出特性曲線簇分為3個區(qū)域，這3個區(qū)域?qū)?yīng)著三極管3種不同的工作狀態(tài)。
    (1)放大區(qū)
    輸出特性曲線平坦部分的區(qū)域是放大區(qū)。工作在放大區(qū)的三極管發(fā)射結(jié)處于正向偏置（大于導(dǎo)通電壓），集電結(jié)處于反向偏置。ic與ie成比例增長，即/。有一個微小變化，ic將按比例發(fā)生較大變化，體現(xiàn)了三極管的電流放大作用。在垂直于橫軸方向作一直線，從該直線上找出ic的變化量Ac和與之對應(yīng)的is變化量A如，即可求出三極管的電流放大系數(shù)p= A/C/A/B，這些曲線越平坦，間距越均勻，則三極管線性越好。在相同的△如下，曲線間距越大，則口值越大。

              
    (2)飽和區(qū)
    輸出特性曲線簇起始部分的區(qū)域是飽和區(qū)。三極管工作在這個區(qū)域時，VCF:很低，VCE<V膿，集電結(jié)處于正向偏置，發(fā)射結(jié)也處于正向偏置。在這個區(qū)域。不受ZB控制，三極管失去電流放大作用。其集電極與發(fā)射極之間電壓稱為三極管飽和壓降，記為V CES。對于NPN型（硅）管VCFS—o3V，PNP型（鍺）管I VCESl =0.1V。
    (3)截止區(qū)
    那條輸出特性曲線以下的區(qū)域為截止區(qū)。要使ie=0，發(fā)射結(jié)電壓VBE -定要小于導(dǎo)通電壓，為了保證可靠截止，常使發(fā)射結(jié)處于反向偏置，集電結(jié)也處于反向偏置。由圖可見，zc≠0，還有很小的集電極電流，稱為穿透電流，記為ICEO。硅管ICEO很小，在幾微安以下；鍺管稍大些，為幾十微安到幾百微安。