如果取一塊硅，在其一半中用三價雜質摻雜、在另一半中用五價雜質摻雜，RB550VA-30 TR則在半導體的n型部分和p型部分之間的形成一個稱為pn結(pn junction)的分界面，從而構成一個半導體二極管。
    在學完本節(jié)后，應該能夠說明二極管的特性和偏置：
    ①給出pn結的定義。
    ②討論二極管中的耗盡區(qū)。
    ③給出阻擋層（勢壘）電位的定義。
    ④討論正向偏置。
    ⑤討論反向偏置。
    ⑥給出反向擊穿的定義。
    在平衡狀態(tài)，二極管中沒有電子的運動（電流）。二極管的主要用途是通過偏置只允許其電流在一個方向上流動。在電子學中，偏置( bias)指的是利用直流電壓給電子器件建立一定的工作條件。對于二極管而言，實際上有兩種偏置：正向偏置和反向偏置。這兩種情況都是通過在pn結上加一個適當極性的足夠大的外部電壓產生的。
   二極管中耗盡區(qū)酌形成
    如圖16.10所示，二極管是由被一個pn結分開的n區(qū)和p區(qū)組成的。n區(qū)中具有許多導電電子，而p區(qū)中有許多空穴。沒有外加電壓時，n區(qū)的導電電子在任意方向上隨機漂移。在pn結形成的瞬間，pn結附近的一些電子漂移到p區(qū)，與pn結附近的空穴相復合，如圖16.lO(a)所示。