前一節(jié)討論了晶體管作為線性放大器的情況。TSM101AIDT晶體管的第二個主要應(yīng)用領(lǐng)域就是開關(guān)應(yīng)用。當(dāng)晶體管用作電子開關(guān)時，一般是交替地工作于截止與飽和狀態(tài)。
    在學(xué)完本節(jié)后，應(yīng)該能夠分析晶體管開關(guān)電路：
    ①說明截止的條件。
    ②說明飽和的條件。
    ③計(jì)箅集電極一發(fā)射極之間的截止電壓。    ．
    ④計(jì)算集電極一發(fā)射極之間的飽和電壓。
    ⑤計(jì)算產(chǎn)生飽和的最小基極電流。
    圖17. 30給出了作為開關(guān)器件的晶體管的基本工作圖示。在圖17.30(a)中，由于B-E結(jié)沒有正向偏壓，所以晶體管處于截止區(qū)。在這種情況下，集電極和發(fā)射極之間在理想情況下是開路的，如圖中的等效開關(guān)所示。在圖17. 30(b)中，晶體管處于飽和區(qū)，因?yàn)锽-E結(jié)和B-C結(jié)均為正向偏置，而且基極電流足夠大，足以使集電極電流達(dá)到其飽和值。在這種情況下，集電極和發(fā)射極之間在理想情況下是短路的，如圖中的等效開關(guān)所示。實(shí)際上，一般都會有高達(dá)零點(diǎn)幾伏的電壓降存在，該電壓稱為飽和電壓，用VCES表示。

           
    場效應(yīng)管的直流工作
    回憶一下，雙極結(jié)型晶體管( BJT)是一種電流控制器件，也就是通過基極電流控制集電極電流的大小。場效應(yīng)管(FET，F(xiàn)ield-Effect Transistor)則不同，它是一種電壓控制器件，它用柵極電壓控制流過器件的電流的大小。還有，和BJT相比，F(xiàn)ET有一個非常高的輸入電阻，使其在某些應(yīng)用中非常有優(yōu)勢。FET的兩種主要類型是結(jié)型場效應(yīng)管(JFET，Junction F、ld-Effect Transistor)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET，Met-al-()xide Semiconductor Field-Effect Transistor).
    在學(xué)完本節(jié)后，應(yīng)該能夠說明JFET和MOSFET的基本結(jié)構(gòu)和工作過程：
    ①認(rèn)識標(biāo)準(zhǔn)FET的符號。
    ②解釋JFET和MOSFET之間的區(qū)別。