這種場效應管只能工作于增強模式，TSM101AIDT沒有耗盡型模式。在結構上，它不同于D -MOSFET，它沒有溝道。注意圖17. 38(a)．其襯底完全伸展到了S102層中。
    對于n溝道器件，大于閾值電壓的正柵極電壓通過在與Si02層相鄰的襯底區(qū)產(chǎn)生一薄層負電荷，感應出一個溝道，如圖17. 38(b)所示。溝道的導電性隨柵一源電壓的提高而增強，因而將更多的電子推人溝道。對于低于閾值的任何柵極電壓都沒有溝道。

          
    圖17. 37   D-MOSFET的電路符號    圖17. 38    E-MOSFET的結構及工作
    當然，輸入電容是由絕緣柵結構產(chǎn)生的。由于輸入電容與非常大的電阻相結合，因此會累積過量的靜電荷，作為靜電放電( ESD，Electro-StaticDischarge)的結果，會導致器件毀壞。為了預防靜電放電和可能的毀壞， 圖17.39  E-MOSFET的電路符號應該采取以下預防措施。

                
    ①MOS器件應該放在導電泡沫塑料中進行運輸。
    ②用于裝配和測試的所有儀器和金屬實驗臺都必須連接到大地（墻壁插座的圓插頭）。
    ③裝配者或操作者的手腕必須通過一根長導線和一個大阻值串聯(lián)電阻連接到大地。
    ④千萬不要帶電從電路上拆除MOS器件（或任何其他器件）。
    ⑤不要在未加直流電的情況下給MOS器件加信號。