場效應(yīng)管放大器
發(fā)布時(shí)間:2013/11/4 19:38:53 訪問次數(shù):994
場效應(yīng)管(無論是JFET還是MOSFET)可用于類似于BJT的任何電路結(jié)構(gòu)的放大器。FET的結(jié)構(gòu)有共源(common-source)、共漏(common-drain)和共柵(common-gate)型。FET的三種結(jié)構(gòu)分別類似于BJT結(jié)構(gòu)的共射、共集和共基型。和BJT的共基結(jié)構(gòu)一樣，F(xiàn)ET的共柵結(jié)構(gòu)很少使用，將不予介紹。TSM103WAIDT和BJT -樣，F(xiàn)ET也是即可用于A類工作，也可用于B類工作，怛這里僅限于A類。
在學(xué)完本節(jié)后，應(yīng)該能夠分析兩種FET放大器：
①計(jì)算FET的跨導(dǎo)。
②分析共源放大器。
③分析共漏放大器。
FET的跨導(dǎo)
回想一下，在BJT中，是靠基極電流控制集電極電流，兩個(gè)電流之間的關(guān)系表示。在FET中，是柵極電壓控制漏極電流。FET的一個(gè)重要參數(shù)就是跨導(dǎo).
跨導(dǎo)是確定FET放大器電壓增益的一個(gè)因數(shù)。在數(shù)據(jù)表中，有時(shí)將跨導(dǎo)稱為正向跨導(dǎo)(forward transad-mittance)，用符號(hào)y。表示，單位為西[門子](S)。有些數(shù)據(jù)表仍用較老的單位姆歐(mho)作為y“的單位。
共源(CS)放大器
一個(gè)自偏壓的共源(CS)JFET放大器，交流信號(hào)源通過電容耦合到柵極上。電阻RG起兩個(gè)作用：①將柵極直流電壓保持在近似O V(因?yàn)镮GSS非常小)；②其大阻值(通常為幾M\O)阻止交流信號(hào)源的加載。偏置電壓是由R。上的電壓降產(chǎn)生的。旁路電容器C3保持FET的源極有效地處于交流地電位。
信號(hào)電壓使得柵一源電壓在其Q點(diǎn)上下擺動(dòng)，在漏極電流中產(chǎn)生一個(gè)擺動(dòng)。當(dāng)漏極電流增加時(shí)，RD上的電壓降也螬加，導(dǎo)致漏極電壓（相對于地）下降。
在其Q點(diǎn)的值處上下擺動(dòng)的漏極電流與柵一源電壓同相。在其Q點(diǎn)處上下擺動(dòng)的漏一源電壓與柵一源電壓有180。的相位差。
在學(xué)完本節(jié)后，應(yīng)該能夠分析兩種FET放大器：
①計(jì)算FET的跨導(dǎo)。
②分析共源放大器。
③分析共漏放大器。
FET的跨導(dǎo)
回想一下，在BJT中，是靠基極電流控制集電極電流，兩個(gè)電流之間的關(guān)系表示。在FET中，是柵極電壓控制漏極電流。FET的一個(gè)重要參數(shù)就是跨導(dǎo).
跨導(dǎo)是確定FET放大器電壓增益的一個(gè)因數(shù)。在數(shù)據(jù)表中，有時(shí)將跨導(dǎo)稱為正向跨導(dǎo)(forward transad-mittance)，用符號(hào)y。表示，單位為西[門子](S)。有些數(shù)據(jù)表仍用較老的單位姆歐(mho)作為y“的單位。
共源(CS)放大器
一個(gè)自偏壓的共源(CS)JFET放大器，交流信號(hào)源通過電容耦合到柵極上。電阻RG起兩個(gè)作用：①將柵極直流電壓保持在近似O V(因?yàn)镮GSS非常小)；②其大阻值(通常為幾M\O)阻止交流信號(hào)源的加載。偏置電壓是由R。上的電壓降產(chǎn)生的。旁路電容器C3保持FET的源極有效地處于交流地電位。
信號(hào)電壓使得柵一源電壓在其Q點(diǎn)上下擺動(dòng)，在漏極電流中產(chǎn)生一個(gè)擺動(dòng)。當(dāng)漏極電流增加時(shí)，RD上的電壓降也螬加，導(dǎo)致漏極電壓（相對于地）下降。
在其Q點(diǎn)的值處上下擺動(dòng)的漏極電流與柵一源電壓同相。在其Q點(diǎn)處上下擺動(dòng)的漏一源電壓與柵一源電壓有180。的相位差。
場效應(yīng)管(無論是JFET還是MOSFET)可用于類似于BJT的任何電路結(jié)構(gòu)的放大器。FET的結(jié)構(gòu)有共源(common-source)、共漏(common-drain)和共柵(common-gate)型。FET的三種結(jié)構(gòu)分別類似于BJT結(jié)構(gòu)的共射、共集和共基型。和BJT的共基結(jié)構(gòu)一樣，F(xiàn)ET的共柵結(jié)構(gòu)很少使用，將不予介紹。TSM103WAIDT和BJT -樣，F(xiàn)ET也是即可用于A類工作，也可用于B類工作，怛這里僅限于A類。
在學(xué)完本節(jié)后，應(yīng)該能夠分析兩種FET放大器：
①計(jì)算FET的跨導(dǎo)。
②分析共源放大器。
③分析共漏放大器。
FET的跨導(dǎo)
回想一下，在BJT中，是靠基極電流控制集電極電流，兩個(gè)電流之間的關(guān)系表示。在FET中，是柵極電壓控制漏極電流。FET的一個(gè)重要參數(shù)就是跨導(dǎo).
跨導(dǎo)是確定FET放大器電壓增益的一個(gè)因數(shù)。在數(shù)據(jù)表中，有時(shí)將跨導(dǎo)稱為正向跨導(dǎo)(forward transad-mittance)，用符號(hào)y。表示，單位為西[門子](S)。有些數(shù)據(jù)表仍用較老的單位姆歐(mho)作為y“的單位。
共源(CS)放大器
一個(gè)自偏壓的共源(CS)JFET放大器，交流信號(hào)源通過電容耦合到柵極上。電阻RG起兩個(gè)作用：①將柵極直流電壓保持在近似O V(因?yàn)镮GSS非常小)；②其大阻值(通常為幾M\O)阻止交流信號(hào)源的加載。偏置電壓是由R。上的電壓降產(chǎn)生的。旁路電容器C3保持FET的源極有效地處于交流地電位。
信號(hào)電壓使得柵一源電壓在其Q點(diǎn)上下擺動(dòng)，在漏極電流中產(chǎn)生一個(gè)擺動(dòng)。當(dāng)漏極電流增加時(shí)，RD上的電壓降也螬加，導(dǎo)致漏極電壓（相對于地）下降。
在其Q點(diǎn)的值處上下擺動(dòng)的漏極電流與柵一源電壓同相。在其Q點(diǎn)處上下擺動(dòng)的漏一源電壓與柵一源電壓有180。的相位差。
在學(xué)完本節(jié)后，應(yīng)該能夠分析兩種FET放大器：
①計(jì)算FET的跨導(dǎo)。
②分析共源放大器。
③分析共漏放大器。
FET的跨導(dǎo)
回想一下，在BJT中，是靠基極電流控制集電極電流，兩個(gè)電流之間的關(guān)系表示。在FET中，是柵極電壓控制漏極電流。FET的一個(gè)重要參數(shù)就是跨導(dǎo).
跨導(dǎo)是確定FET放大器電壓增益的一個(gè)因數(shù)。在數(shù)據(jù)表中，有時(shí)將跨導(dǎo)稱為正向跨導(dǎo)(forward transad-mittance)，用符號(hào)y。表示，單位為西[門子](S)。有些數(shù)據(jù)表仍用較老的單位姆歐(mho)作為y“的單位。
共源(CS)放大器
一個(gè)自偏壓的共源(CS)JFET放大器，交流信號(hào)源通過電容耦合到柵極上。電阻RG起兩個(gè)作用：①將柵極直流電壓保持在近似O V(因?yàn)镮GSS非常小)；②其大阻值(通常為幾M\O)阻止交流信號(hào)源的加載。偏置電壓是由R。上的電壓降產(chǎn)生的。旁路電容器C3保持FET的源極有效地處于交流地電位。
信號(hào)電壓使得柵一源電壓在其Q點(diǎn)上下擺動(dòng)，在漏極電流中產(chǎn)生一個(gè)擺動(dòng)。當(dāng)漏極電流增加時(shí)，RD上的電壓降也螬加，導(dǎo)致漏極電壓（相對于地）下降。
在其Q點(diǎn)的值處上下擺動(dòng)的漏極電流與柵一源電壓同相。在其Q點(diǎn)處上下擺動(dòng)的漏一源電壓與柵一源電壓有180。的相位差。
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