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極限參數(shù)

發(fā)布時(shí)間:2013/12/27 20:02:03 訪問次數(shù):985

    極限參數(shù)

    三極管的極限參數(shù)包括集電極最大電流:M、最大反向電壓、反向電流和耗散功率。

    (1)集電極最大電流,cM是指三極管集電極所允許通過的最大電流。當(dāng)三極管的集電極電流,c超過,cM時(shí),QP7C271-35WMB三極管的∥值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會(huì)損壞。因此,在實(shí)際使用中必須使。例如,S9011的集電極最大電流/CM為30mA,S9012的集電極最大電流/CM為500mA,2SB337的集電極最大電流/C,M為7A。

     (2)最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極一基極反向擊穿電壓和發(fā)射極一基極反向擊穿電壓。集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓,一般用UCo或BUco表示;集電極一基極反向擊穿電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時(shí),其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,用UC,o或BUc。o表示;發(fā)射極一基極反向擊穿電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時(shí),其發(fā)射極與基極之間的最大允許反向電壓,用Uo或BUo表示。例如,S9015的最大反向電壓為45V,S9018的最大反向電壓BU為15V。

    (3)三極管的反向電流包括其集電極一基極之間的反向電流,co和集電極一發(fā)射極之間的反向擊穿電流,co。集電極一基極之間的反向電流,co也稱為集電結(jié)反向漏電電流,是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時(shí),集電極與基極之間的反向電流。,co對(duì)溫度較敏感,該值越小,說明晶體管的溫度特性越好;集電極一發(fā)射極之間的反向擊穿電流,co是指當(dāng)三極管的基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流,也稱為穿透電流。此電流值越小,說明晶體管的性能越好。

     (4)耗散功率也稱為集電極最大允許耗散功率PCM,是指三極管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。耗散功率與三極管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。三極管在使用時(shí),其實(shí)際功耗不允許超過PCM值,否則會(huì)造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管,將PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管稱為中功率晶體管,將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。例如,S9012的PCM為625mW,2SB556K的PCM為40W。


    極限參數(shù)

    三極管的極限參數(shù)包括集電極最大電流:M、最大反向電壓、反向電流和耗散功率。

    (1)集電極最大電流,cM是指三極管集電極所允許通過的最大電流。當(dāng)三極管的集電極電流,c超過,cM時(shí),QP7C271-35WMB三極管的∥值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化,影響其正常工作,甚至還會(huì)損壞。因此,在實(shí)際使用中必須使。例如,S9011的集電極最大電流/CM為30mA,S9012的集電極最大電流/CM為500mA,2SB337的集電極最大電流/C,M為7A。

     (2)最大反向電壓是指晶體管在工作時(shí)所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極一基極反向擊穿電壓和發(fā)射極一基極反向擊穿電壓。集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓是指當(dāng)晶體管基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的最大允許反向電壓,一般用UCo或BUco表示;集電極一基極反向擊穿電壓是指當(dāng)晶體管發(fā)射極開路時(shí),其集電極與基極之間的最大允許反向電壓,用UC,o或BUc。o表示;發(fā)射極一基極反向擊穿電壓是指當(dāng)晶體管的集電極開路時(shí),其發(fā)射極與基極之間的最大允許反向電壓,用Uo或BUo表示。例如,S9015的最大反向電壓為45V,S9018的最大反向電壓BU為15V。

    (3)三極管的反向電流包括其集電極一基極之間的反向電流,co和集電極一發(fā)射極之間的反向擊穿電流,co。集電極一基極之間的反向電流,co也稱為集電結(jié)反向漏電電流,是指當(dāng)晶體管的發(fā)射極開路時(shí),集電極與基極之間的反向電流。,co對(duì)溫度較敏感,該值越小,說明晶體管的溫度特性越好;集電極一發(fā)射極之間的反向擊穿電流,co是指當(dāng)三極管的基極開路時(shí),其集電極與發(fā)射極之間的反向漏電電流,也稱為穿透電流。此電流值越小,說明晶體管的性能越好。

     (4)耗散功率也稱為集電極最大允許耗散功率PCM,是指三極管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。耗散功率與三極管的最高允許結(jié)溫和集電極最大電流有密切關(guān)系。三極管在使用時(shí),其實(shí)際功耗不允許超過PCM值,否則會(huì)造成晶體管因過載而損壞。通常將耗散功率PCM小于1W的晶體管稱為小功率晶體管,將PCM等于或大于1W、小于5W的晶體管稱為中功率晶體管,將PCM等于或大于5W的晶體管稱為大功率晶體管。例如,S9012的PCM為625mW,2SB556K的PCM為40W。


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