半導體分立器件的選擇
發(fā)布時間:2014/1/8 20:41:28 訪問次數(shù):826
半導體分立器件的選擇
對于某些功能比較簡單,只要W82M32V-128M用少量半導體分立器件就能解決問題的電子電路,一般可選用半導體分立器件。另外,在某些信號頻率高、工作電壓高、電流大或要求噪聲極低等特殊電路中,也常采用半導體分立器件。
半導體分立器件包括二極管、三極管、場效應管和其他一些特殊的半導體器件,選用時應根據(jù)電路設計中的具體用途和要求來確定選用哪一種器件。對于同一種半導體器件,型號不同時適用的場合也不同,選用時必須注意。例如,在選用=極管時,首先要看其用途,用于整流時應選用整流二極管;高壓整流,則應選用硅整流堆。用于高頻檢波時應選用高頻檢波二極管。在高速脈沖電路中則應選用開關二極管。在選用半導體器件時,應根據(jù)電路設計中的有
關參數(shù),查閱半導器件手冊,使其實際使用的管壓降、工作電流、頻率、功耗和環(huán)境溫度等都不超過手冊中的規(guī)定值,以保證半導體器件的性能和安全工作。
在選用晶體三極管時,首先要確定管子的類型,是NPN型還是PNP型,然后根據(jù)電路設計指標要求選用所需型號的管子。例如,根據(jù)電路的工作頻率確定選用相應工作頻率的三極管,根據(jù)輸出功率確定選用相應輸出功率的三極管。另外,再考慮管子的電流放大系數(shù)盧、特征頻率fT等參數(shù)。
三極管的極限參數(shù)有集電極最大允許電流。M、集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓U BR,CEO、集電極最大允許耗散功率P。M等。這些參數(shù)反映了三極管在實際使用時應受到的限制。在選用三極管時,要查閱手冊,了解這些參數(shù),使三極管使用時不超過這些參數(shù),并且還留有一定的富余量。
半導體分立器件的選擇
對于某些功能比較簡單,只要W82M32V-128M用少量半導體分立器件就能解決問題的電子電路,一般可選用半導體分立器件。另外,在某些信號頻率高、工作電壓高、電流大或要求噪聲極低等特殊電路中,也常采用半導體分立器件。
半導體分立器件包括二極管、三極管、場效應管和其他一些特殊的半導體器件,選用時應根據(jù)電路設計中的具體用途和要求來確定選用哪一種器件。對于同一種半導體器件,型號不同時適用的場合也不同,選用時必須注意。例如,在選用=極管時,首先要看其用途,用于整流時應選用整流二極管;高壓整流,則應選用硅整流堆。用于高頻檢波時應選用高頻檢波二極管。在高速脈沖電路中則應選用開關二極管。在選用半導體器件時,應根據(jù)電路設計中的有
關參數(shù),查閱半導器件手冊,使其實際使用的管壓降、工作電流、頻率、功耗和環(huán)境溫度等都不超過手冊中的規(guī)定值,以保證半導體器件的性能和安全工作。
在選用晶體三極管時,首先要確定管子的類型,是NPN型還是PNP型,然后根據(jù)電路設計指標要求選用所需型號的管子。例如,根據(jù)電路的工作頻率確定選用相應工作頻率的三極管,根據(jù)輸出功率確定選用相應輸出功率的三極管。另外,再考慮管子的電流放大系數(shù)盧、特征頻率fT等參數(shù)。
三極管的極限參數(shù)有集電極最大允許電流。M、集電極一發(fā)射極反向擊穿電壓U BR,CEO、集電極最大允許耗散功率P。M等。這些參數(shù)反映了三極管在實際使用時應受到的限制。在選用三極管時,要查閱手冊,了解這些參數(shù),使三極管使用時不超過這些參數(shù),并且還留有一定的富余量。
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