去耦電容器通常有兩個(gè)作用：蓄能；去除高頻噪聲。去耦電容器的主要作用是去除高頻(如RF)信號(hào)的干擾。TMS320C6747CZKB4干擾是通過電磁輻射的方式進(jìn)入的。

    集成電路在工作的時(shí)候，其電流是不連續(xù)的，而且頻率很高，而集成電路的電源引大，這樣會(huì)導(dǎo)致器件在需要電流的時(shí)候，不能被及時(shí)供給。在高頻器件電源引腳處放置小電容以起去耦作用，可彌補(bǔ)此不足。在設(shè)計(jì)電路時(shí)，去耦電容器應(yīng)放置在電源入口處，連線應(yīng)盡可能短。

    在設(shè)計(jì)高速電路板時(shí)，通常在電路板的電源接入端放置一個(gè)I～lOVF的電容器，濾除低頻噪聲；在電路板上，每個(gè)器件的電源與地線之間放置一個(gè)O.Ol～O.lpt,F的電容器，濾除高頻噪聲。

    去耦電容器的充、放電作用使集成電路得到的供電電壓比較平穩(wěn)，減小了電壓振蕩現(xiàn)象，因此不會(huì)影響集成電路的速度：同時(shí)去耦電容器為集成電路的瞬態(tài)變化電流提供了各自就近的高強(qiáng)通道，從而大大減小了向外的輻射噪聲且相互之間沒有公共阻抗，因此抑制了公共阻抗耦合。

    由于去耦電容器在高頻時(shí)的阻抗將會(huì)減小其自諧振頻率，因而可以有效地去除信號(hào)線中的高頻噪聲，同時(shí)相對(duì)低頻來說對(duì)能量沒有髟響，所以可在每一個(gè)集成電路的電源地腳之間加一個(gè)大小合適的去耦電容器。在選擇去耦電容器類型時(shí)，應(yīng)考慮那些低電感的高頻電容器，如高頻性能較好的多層陶瓷電容器或獨(dú)石電容器。