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​ 場(chǎng)效應(yīng)管

發(fā)布時(shí)間:2014/1/20 20:59:48 訪問次數(shù):539

    場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)的簡稱。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,TY00680002ARGQ具有輸入電阻高(107~109Q)、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挕⑹軠囟群洼椛溆绊懶〉葍?yōu)點(diǎn),特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。

   場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的異同

   場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都具有放大作用和開關(guān)作用,但由于它們的構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差別很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管。

   普通晶體管(三極管)是一種電流控制元件,工作時(shí),多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以稱為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時(shí),只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此稱為單極型晶體管。

   三極管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別見表8-1。表8-1  三極管與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別

          


    場(chǎng)效應(yīng)管是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)的簡稱。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,TY00680002ARGQ具有輸入電阻高(107~109Q)、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)、受溫度和輻射影響小等?yōu)點(diǎn),特別適用于要求高靈敏度和低噪聲的電路。

   場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的異同

   場(chǎng)效應(yīng)管和三極管一樣都具有放大作用和開關(guān)作用,但由于它們的構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差別很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場(chǎng)效應(yīng)管優(yōu)于三極管。

   普通晶體管(三極管)是一種電流控制元件,工作時(shí),多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以稱為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時(shí),只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此稱為單極型晶體管。

   三極管與場(chǎng)效應(yīng)管的區(qū)別見表8-1。表8-1  三極管與場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別

          


相關(guān)技術(shù)資料
1-20​ 場(chǎng)效應(yīng)管
相關(guān)IC型號(hào)
TY00680002ARGQ
暫無最新型號(hào)

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